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BTA312Y-600C,127

更新时间： 2024-11-19 19:45:19
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 局域网三端双向交流开关
页数 文件大小 规格书
13页 212K
描述
BTA312Y-600C

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BTA312Y-600C,127 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：TO-220包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
HTS代码：8541.30.00.80风险等级：5.22
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率：500 V/us最大直流栅极触发电流：35 mA
最大直流栅极触发电压：1.5 V最大维持电流：35 mA
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3最大漏电流：0.5 mA
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：12 A
断态重复峰值电压：600 V子类别：TRIACs
表面贴装：NO端子面层：Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED触发设备类型：4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC
Base Number Matches：1

BTA312Y-600C,127 数据手册

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B
A
0
2
2
-
O
T
BTA312Y-600C  
3Q Hi-Com Triac  
9 June 2014  
Product data sheet  
1. General description  
Planar passivated high commutation three quadrant triac in a SOT78D (TO-220AB)  
internally insulated plastic package intended for use in circuits where high static and  
dynamic dV/dt and high dI/dt can occur. This "series C" triac will commutate the full RMS  
current at the maximum rated junction temperature without the aid of a snubber. This  
device has an internally isolated mounting base.  
2. Features and benefits  
3Q technology for improved noise immunity  
High commutation capability with maximum false trigger immunity  
High immunity to false turn-on by dV/dt  
Isolated mounting base with 2500 V (RMS) isolation  
Less sensitive gate for high noise immunity  
•
•
•
•
•
•
•
Planar passivated for voltage ruggedness and reliability  
Triggering in three quadrants only  
3. Applications  
Electronic thermostats (heating and cooling)  
Motor controls  
Rectifier-fed DC inductive loads e.g. DC motors and solenoids  
•
•
•
4. Quick reference data  
Table 1.  
Symbol  
Quick reference data  
Parameter  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
VDRM  
repetitive peak off-  
state voltage  
-
-
600  
V
ITSM  
non-repetitive peak on- full sine wave; Tj(init) = 25 °C;  
-
-
100  
A
state current  
tp = 20 ms; Fig. 4; Fig. 5  
Tj  
junction temperature  
RMS on-state current  
-
-
-
-
125  
12  
°C  
A
IT(RMS)  
full sine wave; Tmb ≤ 84 °C; Fig. 1;  
Fig. 2; Fig. 3  
Static characteristics  
IGT gate trigger current  
VD = 12 V; IT = 0.1 A; T2+ G+;  
Tj = 25 °C; Fig. 7  
2
-
35  
mA  
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BTA312Y-600C,127 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BTA06-600TRG STMICROELECTRONICS

功能相似

 TRIAC,600V V(DRM),6A I(T)RMS,TO-220
BTB10-600BWRG STMICROELECTRONICS

功能相似

 10A TRIACS
2N6344G ONSEMI

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 Triacs Silicon Bidirectional Thyristors

与BTA312Y-600C,127相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BTA312Y-800C NXP

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 		12 A Three-quadrant triacs high commutation insulated
BTA312Y-800C WEEN

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 		Planar passivated high commutation three quadrant triac in a IITO-220 internally insulated
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 		BTA312Y-800C
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 		16 A Three-quadrant triacs high commutation
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 		16 A Three-quadrant triacs high commutation
BTA316-600B WEEN

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 		Planar passivated high commutation three quadrant triac in a SOT78 plastic package intende
BTA316-600B,127 NXP

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 		BTA316-600B
BTA316-600B0 NXP

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 		TRIAC, 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC
BTA316-600B0 WEEN

获取价格

 		Planar passivated high commutation three quadrant triac in a SOT78 (TO-220AB) plastic pack
BTA316-600BT NXP

获取价格

 		16 A Three-quadrant triacs high commutation high temperature

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