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BTA225B-800B/T3

更新时间： 2024-01-28 07:22:03
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 栅三端双向交流开关栅极
页数 文件大小 规格书
6页 39K
描述
TRIAC, 800 V, 25 A, SNUBBERLESS TRIAC, TO-263AB, TO-263, 3 PIN

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BTA225B-800B/T3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：D2PAK包装说明：TO-263, 3 PIN
针数：4Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.30.00.80风险等级：5.22
外壳连接：MAIN TERMINAL 2配置：SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率：1000 V/us最大直流栅极触发电流：50 mA
最大直流栅极触发电压：1.5 V最大维持电流：60 mA
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：125 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：25 A重复峰值关态漏电流最大值：500 µA
断态重复峰值电压：800 V表面贴装：YES
端子面层：TIN端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
触发设备类型：SNUBBERLESS TRIACBase Number Matches：1

BTA225B-800B/T3 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
Three quadrant triacs  
high commutation  
BTA225B series B  
GENERAL DESCRIPTION  
QUICK REFERENCE DATA  
Glass passivated high commutation  
triacsin aplastic envelopesuitable for  
surface mounting, intended for use in  
circuitswherehigh staticanddynamic  
dV/dt and high dI/dt can occur. These  
devices will commutate the full rated  
rms current at the maximum rated  
junction temperature, without the aid  
of a snubber.  
SYMBOL PARAMETER  
MAX. MAX. MAX. UNIT  
BTA225B- 500B 600B 800B  
VDRM  
Repetitive peak off-state  
voltages  
500  
600  
800  
V
IT(RMS)  
ITSM  
RMS on-state current  
Non-repetitive peak on-state  
current  
25  
180  
25  
180  
25  
180  
A
A
PINNING - SOT404  
PIN CONFIGURATION  
SYMBOL  
PIN  
1
DESCRIPTION  
main terminal 1  
mb  
T2  
T1  
2
main terminal 2  
gate  
3
2
mb main terminal 2  
1
3
G
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
V
-500  
-600  
-800  
800  
VDRM  
Repetitive peak off-state  
voltages  
-
-
5001  
6001  
IT(RMS)  
ITSM  
RMS on-state current  
full sine wave;  
25  
A
Tmb ≤ 91 ˚C  
Non-repetitive peak  
on-state current  
full sine wave;  
Tj = 25 ˚C prior to surge  
t = 20 ms  
-
-
t = 16.7 ms  
190  
209  
180  
100  
A
A
I2t  
I2t for fusing  
t = 10 ms  
-
A2s  
A/µs  
dIT/dt  
Repetitive rate of rise of ITM = 30 A; IG = 0.2 A;  
on-state current after  
triggering  
dIG/dt = 0.2 A/µs  
IGM  
Peak gate current  
Peak gate voltage  
Peak gate power  
Average gate power  
Storage temperature  
Operating junction  
temperature  
-
2
5
5
0.5  
150  
125  
A
V
W
W
˚C  
˚C  
VGM  
PGM  
PG(AV)  
Tstg  
Tj  
-
-
-
over any 20 ms period  
-40  
-
1 Although not recommended, off-state voltages up to 800V may be applied without damage, but the triac may  
switch to the on-state. The rate of rise of current should not exceed 15 A/µs.  
September 1997  
1
Rev 1.100  
123456

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