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BTA208S-800F

更新时间： 2024-11-14 17:00:55
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瑞能 - WEEN /
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13页 279K
描述
Planar passivated high commutation three quadrant triac in a SOT428 (DPAK) surface mountable plast

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BTA208S-800F 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code：not_compliant
HTS代码：8541.30.00.80风险等级：5.73
Is Samacsys：N其他特性：SENSITIVE GATE
外壳连接：MAIN TERMINAL 2配置：SINGLE
JEDEC-95代码：TO-252JESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：8 A
断态重复峰值电压：800 V表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
触发设备类型：TRIACBase Number Matches：1

BTA208S-800F 数据手册

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BTA208S-800F  
3Q Hi-Com Triac  
13 July 2018  
Product data sheet  
1. General description  
Planar passivated high commutation three quadrant triac in a SOT428 (DPAK) surface mountable  
plastic package. This "series F" triac balances the requirements of commutation performance  
and gate sensitivity and is intended for interfacing with low power drivers and logic ICs including  
microcontrollers in higher noise environments.  
2. Features and benefits  
•
3Q technology for improved noise immunity  
•
•
•
•
•
•
•
Direct triggering from low power drivers and logic ICs  
High commutation capability  
High voltage capability  
Intermediate sensitivity for maximum noise immunity and logic level triggering  
Planar passivated for voltage ruggedness and reliability  
Surface mountable package  
Triggering in three quadrants only  
3. Applications  
•
•
Electronic thermostats  
General purpose motor controls  
4. Quick reference data  
Table 1. Quick reference data  
Symbol  
Parameter  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
VDRM  
repetitive peak off-  
state voltage  
-
-
800  
V
IT(RMS)  
ITSM  
RMS on-state current  
full sine wave; Tmb ≤ 102 °C; Fig. 1;  
Fig. 2; Fig. 3  
-
-
-
-
-
-
-
-
8
A
non-repetitive peak on- full sine wave; Tj(init) = 25 °C;  
state current  
65  
71  
125  
A
tp = 20 ms; Fig. 4; Fig. 5  
full sine wave; Tj(init) = 25 °C;  
tp = 16.7 ms  
A
Tj  
junction temperature  
°C  
Static characteristics  
IGT gate trigger current  
VD = 12 V; IT = 0.1 A; T2+ G+;  
Tj = 25 °C; Fig. 7  
-
-
-
-
25  
25  
mA  
mA  
VD = 12 V; IT = 0.1 A; T2+ G-;  
Tj = 25 °C; Fig. 7  
 
 
 
 
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