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BTA208B-500D

更新时间： 2024-02-13 21:43:50
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 栅极触发装置可控硅三端双向交流开关
页数 文件大小 规格书
4页 26K
描述
Three quadrant triacs guaranteed commutation

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BTA208B-500D 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-263
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.84Is Samacsys：N
外壳连接：MAIN TERMINAL 2配置：SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率：50 V/us最大直流栅极触发电流：25 mA
最大直流栅极触发电压：1.5 V最大维持电流：30 mA
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：125 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：8 A重复峰值关态漏电流最大值：500 µA
断态重复峰值电压：500 V表面贴装：YES
端子面层：TIN端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE触发设备类型：TRIAC
Base Number Matches：1

BTA208B-500D 数据手册

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Philips Semiconductors  
Objective specification  
Three quadrant triacs  
guaranteed commutation  
BTA208B series D, E and F  
GENERAL DESCRIPTION  
QUICK REFERENCE DATA  
Glass passivated high commutation  
triacs in a plastic envelope suitable for  
surface mounting, intended for use in  
motor control circuits or with other  
highly inductive loads. These devices  
SYMBOL PARAMETER  
MAX. MAX. MAX. UNIT  
BTA208B-  
500D 600D  
-
BTA208B-  
BTA208B-  
500E 600E 800E  
500F 600F 800F  
balance  
the  
requirements  
of  
VDRM  
Repetitive peak off-state  
voltages  
RMS on-state current  
500  
600  
800  
V
commutation performance and gate  
sensitivity. The "sensitive gate" E  
series and "logic level" D series are  
intended for interfacing with low power  
drivers, including micro controllers.  
IT(RMS)  
ITSM  
8
8
65  
8
65  
A
A
Non-repetitive peak on-state 65  
current  
PINNING - SOT404  
PIN CONFIGURATION  
SYMBOL  
PIN  
1
DESCRIPTION  
main terminal 1  
mb  
T2  
T1  
2
main terminal 2  
gate  
3
2
mb main terminal 2  
1
3
G
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
V
-500  
-600  
-800  
800  
VDRM  
Repetitive peak off-state  
voltages  
-
-
5001  
6001  
IT(RMS)  
ITSM  
RMS on-state current  
full sine wave;  
8
A
Tmb ≤ 102 ˚C  
Non-repetitive peak  
on-state current  
full sine wave;  
Tj = 25 ˚C prior to  
surge  
t = 20 ms  
-
-
-
65  
71  
A
A
t = 16.7 ms  
I2t  
I2t for fusing  
Repetitive rate of rise of  
on-state current after  
triggering  
Peak gate current  
Peak gate voltage  
Peak gate power  
Average gate power  
t = 10 ms  
21  
A2s  
A/µs  
dIT/dt  
ITM = 12 A; IG = 0.2 A;  
dIG/dt = 0.2 A/µs  
100  
IGM  
-
-
-
-
2
5
5
A
V
W
W
VGM  
PGM  
PG(AV)  
over any 20 ms  
period  
0.5  
Tstg  
Tj  
Storage temperature  
Operating junction  
temperature  
-40  
-
150  
125  
˚C  
˚C  
1 Although not recommended, off-state voltages up to 800V may be applied without damage, but the triac may  
switch to the on-state. The rate of rise of current should not exceed 6 A/µs.  
September 1997  
1
Rev 1.000  
1234

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