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Datasheet > 触发装置 > TRIAC> BTA208-600C
BTA208-600C PDF预览

BTA208-600C

更新时间： 2024-09-23 22:24:03
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 栅极触发装置可控硅三端双向交流开关局域网
页数 文件大小 规格书
4页 26K
描述
Three quadrant triacs high commutation

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BTA208-600C 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.22Is Samacsys：N
外壳连接：MAIN TERMINAL 2配置：SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率：1000 V/us最大直流栅极触发电流：35 mA
最大直流栅极触发电压：1.5 V最大维持电流：15 mA
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
最大漏电流：0.5 mA元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：125 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：8 A重复峰值关态漏电流最大值：500 µA
断态重复峰值电压：600 V子类别：TRIACs
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE触发设备类型：SNUBBERLESS TRIAC
Base Number Matches：1

BTA208-600C 数据手册

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Philips Semiconductors  
Preliminary specification  
Three quadrant triacs  
high commutation  
BTA208B series C  
GENERAL DESCRIPTION  
QUICK REFERENCE DATA  
Glass passivated high commutation  
triacs in a plastic envelope intended for  
use in circuits where high static and  
dynamicdV/dtandhighdI/dtcanoccur.  
These devices will commutate the full  
ratedrmscurrentatthemaximumrated  
junction temperature without the aid of  
a snubber.  
SYMBOL PARAMETER  
MAX. MAX. MAX. UNIT  
BTA208- 500C 600C 800C  
500 600 800  
VDRM  
Repetitive peak  
off-state voltages  
V
IT(RMS)  
ITSM  
RMS on-state current  
Non-repetitive peak  
on-state current  
8
65  
8
65  
8
65  
A
A
PINNING - SOT404  
PIN CONFIGURATION  
SYMBOL  
PIN  
1
DESCRIPTION  
main terminal 1  
mb  
T2  
T1  
2
main terminal 2  
gate  
3
2
mb main terminal 2  
1
3
G
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
V
-500  
-600  
-800  
800  
VDRM  
Repetitive peak off-state  
voltages  
-
-
5001  
6001  
IT(RMS)  
ITSM  
RMS on-state current  
full sine wave;  
8
A
Tmb ≤ 102 ˚C  
Non-repetitive peak  
on-state current  
full sine wave;  
Tj = 25 ˚C prior to  
surge  
t = 20 ms  
-
-
-
65  
71  
A
A
t = 16.7 ms  
I2t  
I2t for fusing  
Repetitive rate of rise of  
on-state current after  
triggering  
Peak gate current  
Peak gate voltage  
Peak gate power  
Average gate power  
t = 10 ms  
21  
A2s  
A/µs  
dIT/dt  
ITM = 12 A; IG = 0.2 A;  
dIG/dt = 0.2 A/µs  
100  
IGM  
-
-
-
-
2
5
5
A
V
W
W
VGM  
PGM  
PG(AV)  
over any 20 ms  
period  
0.5  
Tstg  
Tj  
Storage temperature  
Operating junction  
temperature  
-40  
-
150  
125  
˚C  
˚C  
1 Although not recommended, off-state voltages up to 800V may be applied without damage, but the triac may  
switch to the on-state. The rate of rise of current should not exceed 6 A/µs.  
October 1997  
1
Rev 1.000  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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