BTA204X-800E

更新时间： 2024-09-24 22:06:35

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恩智浦 - NXP		可控硅
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描述
Three quadrant triacs guaranteed commutation

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BTA204X-800E 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	5.31
其他特性：	SENSITIVE GATE	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	关态电压最小值的临界上升速率：	30 V/us
最大直流栅极触发电流：	10 mA	最大直流栅极触发电压：	1.5 V
最大维持电流：	12 mA	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	最大漏电流：	0.5 mA
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	125 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	4 A	重复峰值关态漏电流最大值：	500 µA
断态重复峰值电压：	800 V	子类别：	TRIACs
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	触发设备类型：	TRIAC

BTA204X-800E 数据手册

Philips Semiconductors

Product specification

Three quadrant triacs

guaranteed commutation

BTA204X series D, E and F

GENERAL DESCRIPTION

QUICK REFERENCE DATA

Passivated guaranteed commutation

triacs in a plastic full pack envelope,

intended for use in motor control

circuits or with other highly inductive

loads. These devices balance the

SYMBOL PARAMETER

MAX. MAX. MAX. UNIT

BTA204X-

500D 600D

BTA204X-

500E 600E 800E

500F 600F 800F

requirements

commutation

V_DRM

Repetitive peak

500

600

800

performance and gate sensitivity. The

"sensitive gate" E series and "logic

level" D series are intended for

interfacing with low power drivers,

including micro controllers.

off-state voltages

I_T(RMS)

I_TSM

RMS on-state current

Non-repetitive peak on-state 25

current

PINNING - SOT186A

PIN CONFIGURATION

SYMBOL

DESCRIPTION

main terminal 1

case

main terminal 2

gate

2 3

case isolated

LIMITING VALUES

Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).

SYMBOL PARAMETER

CONDITIONS

MIN.

MAX.

UNIT

-500

-600

-800

800

V_DRM

Repetitive peak off-state

voltages

500¹

600¹

I_T(RMS)

I_TSM

RMS on-state current

full sine wave;

T_hs≤ 92 ˚C

Non-repetitive peak

on-state current

full sine wave;

T_j= 25 ˚C prior to

surge

t = 20 ms

3.1

100

t = 16.7 ms

I²t

I²t for fusing

Repetitive rate of rise of

on-state current after

triggering

Peak gate current

Peak gate voltage

Peak gate power

Average gate power

t = 10 ms

A²s

A/µs

dI_T/dt

I_TM= 6 A; I_G= 0.2 A;

dI_G/dt = 0.2 A/µs

I_GM

V_GM

P_GM

P_G(AV)

over any 20 ms

period

0.5

T_stg

T_j

Storage temperature

Operating junction

temperature

-40

150

125

˚C

1 Although not recommended, off-state voltages up to 800V may be applied without damage, but the triac may

switch to the on-state. The rate of rise of current should not exceed 6 A/µs.

December 1998

Rev 1.000

12 3 4 5 6 7

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