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BT258S-800R

更新时间： 2024-09-25 17:01:27
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瑞能 - WEEN /
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12页 263K
描述
Planar passivated Silicon Controlled Rectifier (SCR) in a SOT428 (DPAK) surface mountable plastic

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BT258S-800R 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code：not_compliant
HTS代码：8541.30.00.80风险等级：5.3
Is Samacsys：N其他特性：SENSITIVE GATE
外壳连接：ANODE配置：SINGLE
最大直流栅极触发电流：0.2 mAJEDEC-95代码：TO-252AA
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：125 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：8 A
参考标准：IEC-60134断态重复峰值电压：800 V
重复峰值反向电压：800 V表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
触发设备类型：SCRBase Number Matches：1

BT258S-800R 数据手册

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BT258S-800R  
Logic level thyristor  
5 September 2018  
Product data sheet  
1. General description  
Planar passivated Silicon Controlled Rectifier (SCR) in a SOT428 (DPAK) surface mountable  
plastic package intended for use in applications requiring high bidirectional blocking voltage  
capability and high thermal cycling performance. These devices are intended to be interfaced  
directly to microcontrollers, logic integrated circuits and other low power gate trigger circuits.  
2. Features and benefits  
•
Direct interfacing with low power drivers and microcontrollers  
•
•
•
•
•
High bidirectional blocking voltage capability  
High thermal cycling performance  
Planar passivated for voltage ruggedness and reliability  
Sensitive gate suitable for logic level controls  
Surface mountable package  
3. Applications  
•
•
•
•
General purpose switching and phase control  
Protection circuits  
Ignition circuits, CDI for 2- and 3-wheelers  
Motor control - e.g. small kitchen appliances  
4. Quick reference data  
Table 1. Quick reference data  
Symbol  
Parameter  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
VRRM  
repetitive peak reverse  
voltage  
-
-
800  
V
IT(AV)  
IT(RMS)  
ITSM  
average on-state  
current  
half sine wave; Tmb ≤ 111 °C; Fig. 1  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
5
A
RMS on-state current  
half sine wave; Tmb ≤ 111 °C; Fig. 2;  
Fig. 3  
8
A
non-repetitive peak on- half sine wave; Tj(init) = 25 °C;  
state current  
75  
82  
125  
A
tp = 10 ms; Fig. 4; Fig. 5  
half sine wave; Tj(init) = 25 °C;  
tp = 8.3 ms  
A
Tj  
junction temperature  
[1]  
°C  
Static characteristics  
IGT  
gate trigger current  
VD = 12 V; IT = 0.1 A; Tj = 25 °C; Fig. 8  
-
50  
200  
µA  
Dynamic characteristics  
 
 
 
 
1234567...12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BT258S-800R,118 NXP

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 		BT258S-800R
BT258S-800R/T3 NXP

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 		Silicon Controlled Rectifier, 8 A, 800 V, SCR, PLASTIC PACKAGE-3
BT258S-800R118 NXP

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 		Thyristors logic level
BT258S-800RT/R NXP

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 		Silicon Controlled Rectifier, 8 A, 800 V, SCR
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 		Passivated, sensitive gate thyristors in a plastic envelope, intended for use in general p

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