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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.30.00.80 |
| Factory Lead Time： | 6 weeks | 风险等级： | 1.57 |
| 其他特性： | SENSITIVE GATE | 外壳连接： | ANODE |
| 配置： | SINGLE | 最大直流栅极触发电流： | 0.2 mA |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 最大均方根通态电流： | 8 A |
| 参考标准： | IEC-134 | 断态重复峰值电压： | 600 V |
| 重复峰值反向电压： | 600 V | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 触发设备类型： | SCR |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| BT258-800R | NXP | Thyristors logic level |
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| BT258-800R | WEEN | Passivated, sensitive gate thyristors in a plastic envelope, intended for use in general p |
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| BT258-800R,127 | NXP | BT258-800R |
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| BT258B | NXP | Thyristors logic level |
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| BT258B-500R | NXP | Thyristors logic level |
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| BT258B500RT/R | NXP | Silicon Controlled Rectifier, 8000mA I(T), 500V V(DRM) |
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