5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > BT151-1000RT,127
BT151-1000RT,127 PDF预览

BT151-1000RT,127

更新时间： 2024-09-24 20:08:03
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 局域网栅栅极
页数 文件大小 规格书
11页 181K
描述
BT151-1000RT

阅读下载

中文翻译

获取价格

BT151-1000RT,127 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：TO-220包装说明：PLASTIC, SC-46, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
HTS代码：8541.30.00.80风险等级：7.57
外壳连接：ANODE标称电路换相断开时间：70 µs
配置：SINGLE最大直流栅极触发电流：15 mA
最大直流栅极触发电压：1.5 V最大维持电流：20 mA
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3最大漏电流：2.5 mA
通态非重复峰值电流：131 A元件数量：1
端子数量：3最大通态电流：7500 A
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：12 A
断态重复峰值电压：1000 V重复峰值反向电压：1000 V
子类别：Silicon Controlled Rectifiers表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
触发设备类型：SCRBase Number Matches：1

BT151-1000RT,127 数据手册

 浏览型号BT151-1000RT,127的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BT151-1000RT,127的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BT151-1000RT,127的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BT151-1000RT,127的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BT151-1000RT,127的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BT151-1000RT,127的Datasheet PDF文件第7页 
BT151-1000RT  
SCR  
27 July 2012  
Product data sheet  
1. Product profile  
1.1 General description  
Planar passivated Silicon Controlled Rectifier (SCR) in a SOT78 (TO-220AB) plastic  
package intended for use in applications requiring very high bidirectional blocking voltage  
capability, high junction temperature capability and high thermal cycling performance.  
1.2 Features and benefits  
High junction operating temperature capability  
High thermal cycling performance  
Planar passivated for voltage ruggedness and reliability  
Very high bidirectional blocking voltage capability  
•
•
•
•
1.3 Applications  
Capacitive Discharge Ignition (CDI)  
•
•
•
•
•
Crowbar protection  
Inrush protection  
Motor control  
Voltage regulation  
1.4 Quick reference data  
Table 1.  
Symbol  
Quick reference data  
Parameter  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
VDRM  
VRRM  
ITSM  
repetitive peak off-  
state voltage  
-
-
1000  
V
repetitive peak reverse  
voltage  
-
-
-
-
1000  
120  
V
A
non-repetitive peak on- half sine wave; Tj(init) = 25 °C;  
state current  
tp = 10 ms; Fig. 4; Fig. 5  
Tj  
junction temperature  
RMS on-state current  
-
-
-
-
150  
12  
°C  
A
IT(RMS)  
half sine wave; Tmb ≤ 134 °C; Fig. 1;  
Fig. 2; Fig. 3  
Static characteristics  
IGT gate trigger current  
VD = 12 V; IT = 0.1 A; Tj = 25 °C; Fig. 7  
-
2
15  
mA  
Scan or click this QR code to view the latest information for this product  
 
 
 
 
 
1234567...11

中文翻译

下载PDF

BT151-1000RT,127 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BT151-1000RT NXP

完全替代

 12 A thyristor high blocking voltage high operating temperature
BT151-1000RT WEEN

功能相似

 Planar passivated Silicon Controlled Rectifier (SCR) in a SOT78 (TO-220AB) plastic package

与BT151-1000RT,127相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BT151-500 NXP

获取价格

 		Thyristors
BT151-500 TGS

获取价格

 		Triacs sensitive gate
BT151-500 NJSEMI

获取价格

 		Thyristor SCR 500V 132A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
BT151-500C NXP

获取价格

 		Thyristors
BT151-500C WEEN

获取价格

 		Planar passivated Silicon Controlled Rectifier (SCR) in a SOT78 plastic package intended f
BT151-500C,127 NXP

获取价格

 		BT151-500C
BT151-500L NXP

获取价格

 		SCR, 12 A, 5mA, 500 V, SOT78
BT151-500L WEEN

获取价格

 		Planar passivated Silicon Controlled Rectifier (SCR) in a SOT78 plastic package intended f
BT151-500L,127 NXP

获取价格

 		BT151-500L
BT151-500R COMSET

获取价格

 		THYRISTORS

与BT151-1000RT,127相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证