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BT148S-600Z

更新时间： 2024-11-12 22:39:39
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恩智浦 - NXP /
页数 文件大小 规格书
6页 53K
描述
Thyristors logic level

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BT148S-600Z 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.30.00.80风险等级：5.84
其他特性：SENSITIVE GATE外壳连接：ANODE
标称电路换相断开时间：100 µs配置：SINGLE
最大直流栅极触发电流：0.2 mA最大直流栅极触发电压：1.5 V
最大维持电流：6 mAJESD-30 代码：R-PSSO-G2
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：125 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：4 A
重复峰值关态漏电流最大值：500 µA断态重复峰值电压：600 V
重复峰值反向电压：600 V表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
触发设备类型：SCRBase Number Matches：1

BT148S-600Z 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
Thyristors  
logic level  
BT148S-600Z  
BT148M-600Z  
GENERAL DESCRIPTION  
QUICK REFERENCE DATA  
Glass passivated, sensitive gate thyristor in  
a plastic envelope, suitable for surface  
mounting, intended for use in general  
purpose switching and phase control  
applications. These devices feature a  
gate-cathode reverse breakdown voltage  
specification. They can be interfaced  
directly to microcontrollers, logic integrated  
circuits and other low power gate trigger  
circuits.  
SYMBOL  
PARAMETER  
MAX. UNIT  
BT148S (or BT148M)-  
Repetitive peak off-state  
voltage  
Average on-state current  
RMS on-state current  
Non-repetitive peak on-state  
current  
600Z  
600  
VDRM  
VRRM  
IT(AV)  
,
V
2.5  
4
35  
A
A
A
IT(RMS)  
ITSM  
PINNING - SOT428  
PIN CONFIGURATION  
SYMBOL  
PIN  
NUMBER  
Standard Alternative  
tab  
S
M
a
k
1
2
cathode  
anode  
gate  
gate  
anode  
cathode  
anode  
3
2
g
1
3
tab  
anode  
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN. MAX. UNIT  
VDRM, VRRM Repetitive peak off-state voltage  
-
6001  
V
IT(AV)  
IT(RMS)  
ITSM  
Average on-state current  
RMS on-state current  
Non-repetitive peak on-state  
current  
half sine wave; Tmb ≤ 111 ˚C  
-
-
2.5  
4
A
A
all conduction angles  
half sine wave; Tj = 25 ˚C prior to surge  
t = 10 ms  
t = 8.3 ms  
t = 10 ms  
-
-
-
-
35  
38  
6.1  
50  
A
A
I2t  
dIT/dt  
I2t for fusing  
A2s  
A/µs  
Repetitive rate of rise of on-state ITM = 10 A; IG = 50 mA;  
current after triggering  
Peak gate current  
Peak gate power  
dIG/dt = 50 mA/µs  
IGM  
-
-
-
2
5
0.5  
150  
1252  
A
PGM  
PG(AV)  
Tstg  
Tj  
W
W
˚C  
˚C  
Average gate power  
Storage temperature  
Operating junction temperature  
over any 20 ms period  
-40  
-
1 Although not recommended, off-state voltages up to 800V may be applied without damage, but the thyristor may  
switch to the on-state. The rate of rise of current should not exceed 15 A/µs.  
2 Note: Operation above 110˚C may require the use of a gate to cathode resistor of 1kΩ or less.  
September 1997  
1
Rev 1.100  
123456

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