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BT148-600R

更新时间： 2024-11-14 17:01:35

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瑞能 - WEEN		/
页数	文件大小	规格书
12页	190K
描述
Planar passivated SCR with sensitive gate in a SIP3 (SOT82) plastic package intended for use in general purpose switching and phase control applications. These devices are intended to be interfaced directly to microcontrollers, logic integrated circuits and other low power gate trigger circuits.

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BT148-600R 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	Reach Compliance Code：	not_compliant
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	2.2
Is Samacsys：	N	其他特性：	SENSITIVE GATE
外壳连接：	ANODE	配置：	SINGLE
最大直流栅极触发电流：	0.2 mA	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	125 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	4 A
参考标准：	IEC-60134	断态重复峰值电压：	600 V
重复峰值反向电压：	600 V	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

BT148-600R 数据手册

BT148-600R

SCR

22 April 2019

Product data sheet

1. General description

Planar passivated SCR with sensitive gate in a SIP3 (SOT82) plastic package intended for use

in general purpose switching and phase control applications. These devices are intended to be

interfaced directly to microcontrollers, logic integrated circuits and other low power gate trigger

circuits.

2. Features and benefits

•

Sensitive gate

•

Planar passivated for voltage ruggedness and reliability

Direct triggering from low power drivers and logic ICs

3. Applications

•

Adapters

Battery powered applications

Industrial automation

4. Quick reference data

Table 1. Quick reference data

Symbol

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

V_RRM

repetitive peak reverse

voltage

600

I_T(AV)

I_T(RMS)

I_TSM

average on-state

current

half sine wave; T_mb≤ 113 °C; Fig. 1

2.5

RMS on-state current

half sine wave; T_mb≤ 113 °C; Fig. 2;

Fig. 3

non-repetitive peak on- half sine wave; T_j(init)= 25 °C;

state current

125

t_p= 10 ms; Fig. 4; Fig. 5

half sine wave; T_j(init)= 25 °C;

t_p= 8.3 ms

T_j

junction temperature

[1]

°C

Static characteristics

I_GT

gate trigger current

V_D= 12 V; I_T= 0.1 A; T_j= 25 °C; Fig. 7

200

µA

Dynamic characteristics

dV_D/dt

rate of rise of off-state V_DM= 402 V; T_j= 125 °C; R_GK= 100 Ω;

V/µs

voltage

(V_DM= 67% of V_DRM); exponential

waveform; Fig. 12

12 3 4 5 6 7...12

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BT148-600R,127	NXP	获取价格	BT148-600R
BT148M-600Z	NXP	获取价格	Thyristors logic level
BT148S-600Z	NXP	获取价格	Thyristors logic level
BT148SERIES	ETC	获取价格	Thyristors logic level
BT148W	NXP	获取价格	Thyristors logic level
BT148W_SERIES	ETC	获取价格	Thyristors logic level
BT148W400R	PHILIPS	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 600mA I(T), 400V V(DRM),
BT148W-400R	NXP	获取价格	Thyristors logic level
BT148W-400R/T3	NXP	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 1 A, 400 V, SCR
BT148W400RT/R	PHILIPS	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 600mA I(T), 400V V(DRM)

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