Datasheet > BT148-500R

BT148-500R

更新时间： 2024-11-14 17:01:43

品牌	Logo	应用领域
瑞能 - WEEN		/
页数	文件大小	规格书
12页	190K
描述
Planar passivated SCR with sensitive gate in a SIP3 (SOT82) plastic package intended for use in general purpose switching and phase control applications. These devices are intended to be interfaced directly to microcontrollers, logic integrated circuits and other low power gate trigger circuits.

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BT148-500R 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	Reach Compliance Code：	not_compliant
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	5.65
Is Samacsys：	N	其他特性：	SENSITIVE GATE
外壳连接：	ANODE	配置：	SINGLE
最大直流栅极触发电流：	0.2 mA	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	125 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	4 A
参考标准：	IEC-60134	断态重复峰值电压：	500 V
重复峰值反向电压：	500 V	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

BT148-500R 数据手册

BT148-500R

SCR

4 September 2018

Product data sheet

1. General description

Planar passivated SCR with sensitive gate in a SIP3 (SOT82) plastic package intended for use

in general purpose switching and phase control applications. These devices are intended to be

interfaced directly to microcontrollers, logic integrated circuits and other low power gate trigger

circuits.

2. Features and benefits

•

Sensitive gate

•

Planar passivated for voltage ruggedness and reliability

Direct triggering from low power drivers and logic ICs

3. Applications

•

Adapters

Battery powered applications

Industrial automation

4. Quick reference data

Table 1. Quick reference data

Symbol

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

V_RRM

repetitive peak reverse

voltage

500

I_T(AV)

I_T(RMS)

I_TSM

average on-state

current

half sine wave; T_mb≤ 113 °C; Fig. 1

2.5

RMS on-state current

half sine wave; T_mb≤ 113 °C; Fig. 2;

Fig. 3

non-repetitive peak on- half sine wave; T_j(init)= 25 °C;

state current

125

t_p= 10 ms; Fig. 4; Fig. 5

half sine wave; T_j(init)= 25 °C;

t_p= 8.3 ms

T_j

junction temperature

[1]

°C

Static characteristics

I_GT

gate trigger current

V_D= 12 V; I_T= 0.1 A; T_j= 25 °C; Fig. 7

200

µA

Dynamic characteristics

dV_D/dt

rate of rise of off-state V_DM= 268 V; T_j= 125 °C; R_GK= 100 Ω;

V/µs

voltage

(V_DM= 67% of V_DRM); exponential

waveform; Fig. 12

12 3 4 5 6 7...12

中文翻译

下载PDF

与BT148-500R相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BT148-500R,127	NXP	获取价格	BT148-500R
BT148-600R	NXP	获取价格	Thyristors logic level
BT148-600R	WEEN	获取价格	Planar passivated SCR with sensitive gate in a SIP3 (SOT82) plastic package intended for u
BT148-600R,127	NXP	获取价格	BT148-600R
BT148M-600Z	NXP	获取价格	Thyristors logic level
BT148S-600Z	NXP	获取价格	Thyristors logic level
BT148SERIES	ETC	获取价格	Thyristors logic level
BT148W	NXP	获取价格	Thyristors logic level
BT148W_SERIES	ETC	获取价格	Thyristors logic level
BT148W400R	PHILIPS	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 600mA I(T), 400V V(DRM),

与BT148-500R相关文章

国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

26
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

10
AMD宣布全球裁员约1000人，调整战略聚焦增长
2024-11-14

11
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

32

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BT148-500R

BT148-500R 技术参数

BT148-500R 数据手册

与BT148-500R相关器件

与BT148-500R相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BT148-500R

BT148-500R 技术参数

BT148-500R 数据手册

与BT148-500R相关器件

与BT148-500R相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？