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Datasheet > 触发装置 > TRIAC> BT139X-600E
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BT139X-600E

更新时间： 2024-09-24 22:13:47
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 可控硅栅
页数 文件大小 规格书
6页 53K
描述
Triacs sensitive gate

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BT139X-600E 技术参数

Source Url Status Check Date：2013-06-14 00:00:00是否无铅： 不含铅
是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：SFM包装说明：PLASTIC, FULL PACK-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
HTS代码：8541.30.00.80风险等级：5.12
其他特性：SENSITIVE GATE外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE最大直流栅极触发电流：10 mA
最大直流栅极触发电压：1.5 V最大维持电流：30 mA
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
最大漏电流：0.5 mA元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：125 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：16 A
重复峰值关态漏电流最大值：500 µA断态重复峰值电压：600 V
子类别：TRIACs表面贴装：NO
端子面层：Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
触发设备类型：4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIACBase Number Matches：1

BT139X-600E 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
Triacs  
sensitive gate  
BT139X series E  
GENERAL DESCRIPTION  
QUICK REFERENCE DATA  
Glass passivated, sensitive gate  
triacs in a full pack plastic envelope,  
intended for use in general purpose  
bidirectional switching and phase  
control applications, where high  
sensitivity is required in all four  
quadrants.  
SYMBOL PARAMETER  
MAX. MAX. MAX. UNIT  
BT139X- 500E 600E 800E  
VDRM  
Repetitive peak off-state  
voltages  
500  
600  
800  
V
IT(RMS)  
ITSM  
RMS on-state current  
Non-repetitive peak on-state  
current  
16  
140  
16  
140  
16  
140  
A
A
PINNING - SOT186A  
PIN CONFIGURATION  
SYMBOL  
PIN  
1
DESCRIPTION  
main terminal 1  
case  
T2  
T1  
2
main terminal 2  
gate  
3
G
1
2 3  
case isolated  
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
V
-500  
-600  
-800  
800  
VDRM  
Repetitive peak off-state  
voltages  
-
-
5001  
6001  
IT(RMS)  
ITSM  
RMS on-state current  
Non-repetitive peak  
on-state current  
full sine wave; Ths ≤ 38 ˚C  
full sine wave; Tj = 25 ˚C prior to  
surge  
16  
A
t = 20 ms  
-
-
-
140  
150  
98  
A
A
t = 16.7 ms  
I2t  
dIT/dt  
I2t for fusing  
Repetitive rate of rise of  
on-state current after  
triggering  
t = 10 ms  
A2s  
ITM = 20 A; IG = 0.2 A;  
dIG/dt = 0.2 A/µs  
T2+ G+  
-
50  
50  
50  
10  
2
5
5
0.5  
150  
125  
A/µs  
A/µs  
A/µs  
A/µs  
A
T2+ G-  
-
T2- G-  
-
T2- G+  
-
IGM  
Peak gate current  
Peak gate voltage  
Peak gate power  
Average gate power  
Storage temperature  
Operating junction  
temperature  
-
VGM  
PGM  
PG(AV)  
Tstg  
Tj  
-
V
-
-
W
over any 20 ms period  
W
-40  
-
˚C  
˚C  
1 Although not recommended, off-state voltages up to 800V may be applied without damage, but the triac may  
switch to the on-state. The rate of rise of current should not exceed 15 A/µs.  
September 1997  
1
Rev 1.200  
123456

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BT139X-600E 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BTA316-800B WEEN

功能相似

 Planar passivated high commutation three quadrant triac in a SOT78 plastic package intende
BTA16-600BW3G LITTELFUSE

功能相似

 此三端双向可控硅专门用于需要高抗扰度和换向di/dt的高性能全波交流控制应用。 功能与特色

与BT139X-600E相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BT139X-600E,127 NXP

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 		BT139X-600E
BT139X-600F NXP

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 		Triacs
BT139X-600F WEEN

获取价格

 		Planar passivated four quadrant triac in a SOT186A "full pack" plastic package intended fo
BT139X-600F/DG,127 NXP

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 		BT139X-600F
BT139X-600G NXP

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 		Triacs
BT139X-600G WEEN

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 		Planar passivated four quadrant triac in a SOT186A "full pack" plastic package intended fo
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BT139X-800 NXP

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BT139X-800,127 NXP

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 		BT139X-800

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