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Datasheet > 触发装置 > TRIAC> BT139B-600H
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BT139B-600H

更新时间： 2024-11-29 22:54:07
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 触发装置可控硅三端双向交流开关
页数 文件大小 规格书
6页 54K
描述
Triacs high noise immunity

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BT139B-600H 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.30.00.80风险等级：5.14
Is Samacsys：N外壳连接：MAIN TERMINAL 2
配置：SINGLEJESD-30 代码：R-PSSO-G2
元件数量：1端子数量：2
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：16 A断态重复峰值电压：600 V
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE触发设备类型：4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC
Base Number Matches：1

BT139B-600H 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
Triacs  
high noise immunity  
BT139B series H  
GENERAL DESCRIPTION  
QUICK REFERENCE DATA  
Glass passivated triacs in a plastic  
envelope suitable for surface  
mounting, intended for use in  
applications requiring high noise  
immunity in addition to high,  
SYMBOL PARAMETER  
MAX. MAX. MAX. UNIT  
BT139B- 500H 600H 800H  
VDRM  
Repetitive peak off-state  
voltages  
500  
600  
800  
V
bidirectional  
blocking  
voltage  
IT(RMS)  
ITSM  
RMS on-state current  
Non-repetitive peak on-state  
current  
16  
140  
16  
140  
16  
140  
A
A
capability and thermal cycling  
performance. Typical applications  
include motor control, industrial  
lighting, heating and static switching.  
PINNING - SOT404  
PIN CONFIGURATION  
SYMBOL  
PIN  
1
DESCRIPTION  
main terminal 1  
mb  
T2  
T1  
2
main terminal 2  
gate  
3
2
mb main terminal 2  
1
3
G
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
V
-500  
-600  
-800  
800  
VDRM  
Repetitive peak off-state  
voltages  
-
-
5001  
6001  
IT(RMS)  
ITSM  
RMS on-state current  
Non-repetitive peak  
on-state current  
full sine wave; Tmb ≤ 99 ˚C  
full sine wave; Tj = 25 ˚C prior to  
surge  
16  
A
t = 20 ms  
-
-
-
140  
150  
98  
A
A
t = 16.7 ms  
I2t  
dIT/dt  
I2t for fusing  
Repetitive rate of rise of  
on-state current after  
triggering  
t = 10 ms  
A2s  
ITM = 20 A; IG = 0.2 A;  
dIG/dt = 0.2 A/µs  
T2+ G+  
-
50  
50  
50  
10  
2
5
5
0.5  
150  
125  
A/µs  
A/µs  
A/µs  
A/µs  
A
T2+ G-  
-
T2- G-  
-
T2- G+  
-
IGM  
Peak gate current  
Peak gate voltage  
Peak gate power  
Average gate power  
Storage temperature  
Operating junction  
temperature  
-
VGM  
PGM  
PG(AV)  
Tstg  
Tj  
-
V
-
-
W
over any 20 ms period  
W
-40  
-
˚C  
˚C  
1 Although not recommended, off-state voltages up to 800V may be applied without damage, but the triac may  
switch to the on-state. The rate of rise of current should not exceed 15 A/µs.  
March 1997  
1
Rev 1.000  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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