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Datasheet > 触发装置 > TRIAC> BT138-600E
BT138-600E PDF预览

BT138-600E

更新时间： 2024-02-24 04:09:03
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 触发装置可控硅三端双向交流开关栅局域网
页数 文件大小 规格书
6页 51K
描述
Triacs sensitive gate

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BT138-600E 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-220AB
包装说明：PLASTIC PACKAGE-3针数：3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.15Is Samacsys：N
外壳连接：MAIN TERMINAL 2配置：SINGLE
换向电压的临界上升率-最小值：10 V/us关态电压最小值的临界上升速率：200 V/us
最大直流栅极触发电流：50 mA最大直流栅极触发电压：1.5 V
最大维持电流：60 mAJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
最大漏电流：0.5 mA元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：125 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：12 A
重复峰值关态漏电流最大值：500 µA断态重复峰值电压：600 V
子类别：TRIACs表面贴装：NO
端子面层：Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
触发设备类型：4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIACBase Number Matches：1

BT138-600E 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
Triacs  
sensitive gate  
BT138 series E  
GENERAL DESCRIPTION  
QUICK REFERENCE DATA  
Glass passivated, sensitive gate  
triacs in a plastic envelope, intended  
for use in general purpose  
bidirectional switching and phase  
control applications, where high  
sensitivity is required in all four  
quadrants.  
SYMBOL PARAMETER  
MAX. MAX. MAX. UNIT  
BT138- 500E 600E 800E  
VDRM  
Repetitive peak off-state  
voltages  
500  
600  
800  
V
IT(RMS)  
ITSM  
RMS on-state current  
Non-repetitive peak on-state  
current  
12  
95  
12  
95  
12  
95  
A
A
PINNING - TO220AB  
PIN CONFIGURATION  
SYMBOL  
PIN  
1
DESCRIPTION  
main terminal 1  
tab  
T2  
T1  
2
main terminal 2  
gate  
3
G
1 2 3  
tab main terminal 2  
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
V
-500  
-600  
-800  
800  
VDRM  
Repetitive peak off-state  
voltages  
-
-
5001  
6001  
IT(RMS)  
ITSM  
RMS on-state current  
Non-repetitive peak  
on-state current  
full sine wave; Tmb ≤ 99 ˚C  
full sine wave; Tj = 25 ˚C prior to  
surge  
12  
A
t = 20 ms  
-
-
-
95  
105  
45  
A
A
t = 16.7 ms  
I2t  
dIT/dt  
I2t for fusing  
Repetitive rate of rise of  
on-state current after  
triggering  
t = 10 ms  
A2s  
ITM = 20 A; IG = 0.2 A;  
dIG/dt = 0.2 A/µs  
T2+ G+  
-
50  
50  
50  
10  
2
5
5
0.5  
150  
125  
A/µs  
A/µs  
A/µs  
A/µs  
A
T2+ G-  
-
T2- G-  
-
T2- G+  
-
IGM  
Peak gate current  
Peak gate voltage  
Peak gate power  
Average gate power  
Storage temperature  
Operating junction  
temperature  
-
VGM  
PGM  
PG(AV)  
Tstg  
Tj  
-
V
-
-
W
over any 20 ms period  
W
-40  
-
˚C  
˚C  
1 Although not recommended, off-state voltages up to 800V may be applied without damage, but the triac may  
switch to the on-state. The rate of rise of current should not exceed 15 A/µs.  
September 1997  
1
Rev 1.200  
123456

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