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Datasheet > 触发装置 > TRIAC> BT137M-600D
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BT137M-600D

更新时间： 2024-09-24 22:54:07
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 可控硅
页数 文件大小 规格书
6页 55K
描述
Triacs logic level

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BT137M-600D 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.78其他特性：SENSITIVE GATE
外壳连接：MAIN TERMINAL 2配置：SINGLE
JESD-30 代码：R-PSSO-G2元件数量：1
端子数量：2封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：8 A
断态重复峰值电压：600 V表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
触发设备类型：4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIACBase Number Matches：1

BT137M-600D 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
Triacs  
logic level  
BT137S series D  
BT137M series D  
GENERAL DESCRIPTION  
QUICK REFERENCE DATA  
Glass passivated, sensitive gate  
triacs in a plastic envelope, suitable  
for surface mounting, intended for  
use in general purpose bidirectional  
SYMBOL PARAMETER  
MAX. MAX. UNIT  
BT137S (or BT137M)- 500D 600D  
VDRM  
IT(RMS)  
ITSM  
Repetitive peak off-state voltages  
RMS on-state current  
Non-repetitive peak on-state current  
500  
8
65  
600  
8
65  
V
A
A
switching  
and  
phase  
control  
applications. These devices are  
intended to be interfaced directly to  
microcontrollers, logic integrated  
circuits and other low power gate  
trigger circuits.  
PINNING - SOT428  
PIN CONFIGURATION  
SYMBOL  
PIN  
NUMBER  
Standard Alternative  
tab  
S
M
1
2
MT1  
MT2  
gate  
MT2  
gate  
MT2  
MT1  
MT2  
T2  
T1  
3
2
G
1
3
tab  
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
V
-500  
-600  
6001  
VDRM  
Repetitive peak off-state  
voltages  
-
-
5001  
IT(RMS)  
ITSM  
RMS on-state current  
Non-repetitive peak  
on-state current  
full sine wave; Tmb ≤ 102 ˚C  
full sine wave; Tj = 25 ˚C prior to  
surge  
8
A
t = 20 ms  
-
-
-
65  
71  
21  
A
A
t = 16.7 ms  
I2t  
dIT/dt  
I2t for fusing  
Repetitive rate of rise of  
on-state current after  
triggering  
t = 10 ms  
A2s  
ITM = 12 A; IG = 0.2 A;  
dIG/dt = 0.2 A/µs  
T2+ G+  
-
50  
50  
50  
10  
2
5
5
0.5  
150  
125  
A/µs  
A/µs  
A/µs  
A/µs  
A
T2+ G-  
-
T2- G-  
-
T2- G+  
-
IGM  
Peak gate current  
Peak gate voltage  
Peak gate power  
Average gate power  
Storage temperature  
Operating junction  
temperature  
-
VGM  
PGM  
PG(AV)  
Tstg  
Tj  
-
V
-
-
W
over any 20 ms period  
W
-40  
-
˚C  
˚C  
1 Although not recommended, off-state voltages up to 800V may be applied without damage, but the triac may  
switch to the on-state. The rate of rise of current should not exceed 6 A/µs.  
October 1997  
1
Rev 1.200  
123456

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与BT137M-600D相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BT137M-600D-T NXP

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 		TRIAC, 600 V, 8 A, 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC
BT137M-600E NXP

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 		Triacs sensitive gate
BT137M-600E-T NXP

获取价格

 		600V, 8A, 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC, TO-252
BT137M-600F NXP

获取价格

 		Triacs
BT137M-600F PHILIPS

获取价格

 		TRIAC, 600V V(DRM), 8A I(T)RMS,
BT137M-600F-T NXP

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