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BT137-600E,127 PDF预览

BT137-600E,127

更新时间： 2024-01-19 08:05:57
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 局域网栅三端双向交流开关栅极
页数 文件大小 规格书
6页 36K
描述
BT137-600E

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BT137-600E,127 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SC-46, 3 PINReach Compliance Code：not_compliant
HTS代码：8541.30.00.80Factory Lead Time：6 weeks
风险等级：1.51其他特性：SENSITIVE GATE
外壳连接：MAIN TERMINAL 2配置：SINGLE
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：125 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大均方根通态电流：8 A参考标准：IEC-60134
断态重复峰值电压：600 V表面贴装：NO
端子面层：Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
触发设备类型：4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIACBase Number Matches：1

BT137-600E,127 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
Triacs  
sensitive gate  
BT137 series E  
GENERAL DESCRIPTION  
QUICK REFERENCE DATA  
Passivated, sensitive gate triacs in a  
plastic envelope, intended for use in  
general purpose bidirectional switching  
and phase control applications, where  
high sensitivity is required in all four  
quadrants.  
SYMBOL  
PARAMETER  
MAX. MAX. UNIT  
BT137- 600E 800E  
600 800  
VDRM  
Repetitive peak off-state  
voltages  
RMS on-state current  
Non-repetitive peak on-state  
current  
V
IT(RMS)  
ITSM  
8
65  
8
65  
A
A
PINNING - TO220AB  
PIN CONFIGURATION  
SYMBOL  
PIN  
1
DESCRIPTION  
main terminal 1  
tab  
T2  
T1  
2
main terminal 2  
gate  
3
G
1 2 3  
tab main terminal 2  
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
V
-600  
-800  
800  
VDRM  
Repetitive peak off-state  
voltages  
-
-
6001  
IT(RMS)  
ITSM  
RMS on-state current  
Non-repetitive peak  
on-state current  
full sine wave; Tmb ≤ 102 ˚C  
full sine wave; Tj = 25 ˚C prior to  
surge  
8
A
t = 20 ms  
-
-
-
65  
71  
21  
A
A
t = 16.7 ms  
I2t  
dIT/dt  
I2t for fusing  
Repetitive rate of rise of  
on-state current after  
triggering  
t = 10 ms  
A2s  
ITM = 12 A; IG = 0.2 A;  
dIG/dt = 0.2 A/µs  
T2+ G+  
-
50  
50  
50  
10  
2
5
5
0.5  
150  
125  
A/µs  
A/µs  
A/µs  
A/µs  
A
T2+ G-  
-
T2- G-  
-
T2- G+  
-
IGM  
Peak gate current  
Peak gate voltage  
Peak gate power  
Average gate power  
Storage temperature  
Operating junction  
temperature  
-
VGM  
PGM  
PG(AV)  
Tstg  
Tj  
-
V
-
-
W
over any 20 ms period  
W
-40  
-
˚C  
˚C  
1 Although not recommended, off-state voltages up to 800V may be applied without damage, but the triac may  
switch to the on-state. The rate of rise of current should not exceed 6 A/µs.  
June 2001  
1
Rev 1.400  
123456

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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