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Datasheet > 触发装置 > TRIAC> BT136B-500E
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BT136B-500E

更新时间： 2025-07-15 22:54:07
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 栅极触发装置可控硅三端双向交流开关
页数 文件大小 规格书
6页 53K
描述
Triacs sensitive gate

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BT136B-500E 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-263
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.78其他特性：SENSITIVE GATE
外壳连接：MAIN TERMINAL 2配置：SINGLE
最大直流栅极触发电流：10 mA最大直流栅极触发电压：1.5 V
最大维持电流：15 mAJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：125 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：4 A重复峰值关态漏电流最大值：500 µA
断态重复峰值电压：500 V表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
触发设备类型：4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIACBase Number Matches：1

BT136B-500E 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
Triacs  
sensitive gate  
BT136B series E  
GENERAL DESCRIPTION  
QUICK REFERENCE DATA  
Glass passivated, sensitive gate  
triacsin aplastic envelopesuitable for  
surface mounting, intended for use in  
SYMBOL PARAMETER  
MAX. MAX. MAX. UNIT  
BT136B- 500E 600E 800E  
general  
purpose  
and  
bidirectional  
phase control  
VDRM  
Repetitive peak off-state  
voltages  
500  
600  
800  
V
switching  
applications, where high sensitivity is  
required in all four quadrants.  
IT(RMS)  
ITSM  
RMS on-state current  
Non-repetitive peak on-state  
current  
4
25  
4
25  
4
25  
A
A
PINNING - SOT404  
PIN CONFIGURATION  
SYMBOL  
PIN  
1
DESCRIPTION  
main terminal 1  
mb  
T2  
T1  
2
main terminal 2  
gate  
3
2
mb main terminal 2  
1
3
G
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
V
-500  
-600  
-800  
800  
VDRM  
Repetitive peak off-state  
voltages  
-
-
5001  
6001  
IT(RMS)  
ITSM  
RMS on-state current  
Non-repetitive peak  
on-state current  
full sine wave; Tmb ≤ 107 ˚C  
full sine wave; Tj = 25 ˚C prior to  
surge  
4
A
t = 20 ms  
-
-
-
25  
27  
3.1  
A
A
t = 16.7 ms  
I2t  
dIT/dt  
I2t for fusing  
Repetitive rate of rise of  
on-state current after  
triggering  
t = 10 ms  
A2s  
ITM = 6 A; IG = 0.2 A;  
dIG/dt = 0.2 A/µs  
T2+ G+  
-
50  
50  
50  
10  
2
5
5
0.5  
150  
125  
A/µs  
A/µs  
A/µs  
A/µs  
A
T2+ G-  
-
T2- G-  
-
T2- G+  
-
IGM  
Peak gate current  
Peak gate voltage  
Peak gate power  
Average gate power  
Storage temperature  
Operating junction  
temperature  
-
VGM  
PGM  
PG(AV)  
Tstg  
Tj  
-
V
-
-
W
over any 20 ms period  
W
-40  
-
˚C  
˚C  
1 Although not recommended, off-state voltages up to 800V may be applied without damage, but the triac may  
switch to the on-state. The rate of rise of current should not exceed 3 A/µs.  
March 1997  
1
Rev 1.000  
123456

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