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Datasheet > 触发装置 > TRIAC> BT134-800E
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BT134-800E

更新时间： 2024-11-05 22:15:35
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 触发装置可控硅三端双向交流开关栅
页数 文件大小 规格书
6页 49K
描述
Triacs sensitive gate

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BT134-800E 技术参数

Source Url Status Check Date：2013-06-14 00:00:00是否无铅： 不含铅
是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.18其他特性：SENSITIVE GATE
外壳连接：MAIN TERMINAL 2配置：SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率：50 V/us最大直流栅极触发电流：10 mA
最大直流栅极触发电压：1.5 V最大维持电流：15 mA
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e3
最大漏电流：0.5 mA元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：125 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：4 A
重复峰值关态漏电流最大值：500 µA断态重复峰值电压：800 V
子类别：TRIACs表面贴装：NO
端子面层：Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
触发设备类型：TRIACBase Number Matches：1

BT134-800E 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
Triacs  
sensitive gate  
BT134 series E  
GENERAL DESCRIPTION  
QUICK REFERENCE DATA  
Glass passivated, sensitive gate  
triacs in a plastic envelope, intended  
for use in general purpose  
bidirectional switching and phase  
control applications, where high  
sensitivity is required in all four  
quadrants.  
SYMBOL PARAMETER  
MAX. MAX. MAX. UNIT  
BT134- 500E 600E 800E  
VDRM  
Repetitive peak off-state  
voltages  
500  
600  
800  
V
IT(RMS)  
ITSM  
RMS on-state current  
Non-repetitive peak on-state  
current  
4
25  
4
25  
4
25  
A
A
PINNING - SOT82  
PIN CONFIGURATION  
SYMBOL  
PIN  
1
DESCRIPTION  
main terminal 1  
T2  
T1  
2
main terminal 2  
gate  
3
G
2
3
1
tab main terminal 2  
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
V
-500  
-600  
-800  
800  
VDRM  
Repetitive peak off-state  
voltages  
-
-
5001  
6001  
IT(RMS)  
ITSM  
RMS on-state current  
Non-repetitive peak  
on-state current  
full sine wave; Tmb ≤ 107 ˚C  
full sine wave; Tj = 25 ˚C prior to  
surge  
4
A
t = 20 ms  
-
-
-
25  
27  
3.1  
A
A
t = 16.7 ms  
I2t  
dIT/dt  
I2t for fusing  
Repetitive rate of rise of  
on-state current after  
triggering  
t = 10 ms  
A2s  
ITM = 6 A; IG = 0.2 A;  
dIG/dt = 0.2 A/µs  
T2+ G+  
-
50  
50  
50  
10  
2
5
5
0.5  
150  
125  
A/µs  
A/µs  
A/µs  
A/µs  
A
T2+ G-  
-
T2- G-  
-
T2- G+  
-
IGM  
Peak gate current  
Peak gate voltage  
Peak gate power  
Average gate power  
Storage temperature  
Operating junction  
temperature  
-
VGM  
PGM  
PG(AV)  
Tstg  
Tj  
-
V
-
-
W
over any 20 ms period  
W
-40  
-
˚C  
˚C  
1 Although not recommended, off-state voltages up to 800V may be applied without damage, but the triac may  
switch to the on-state. The rate of rise of current should not exceed 3 A/µs.  
August 1997  
1
Rev 1.200  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BT134-800E,127 NXP

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