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BT131W-500

更新时间： 2024-09-14 22:13:19
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 可控硅
页数 文件大小 规格书
7页 57K
描述
Triacs logic level

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BT131W-500 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT-223
包装说明：SOT-223, 4 PIN针数：4
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.76其他特性：SENSITIVE GATE
外壳连接：MAIN TERMINAL 2配置：SINGLE
换向电压的临界上升率-最小值：2 V/us关态电压最小值的临界上升速率：10 V/us
最大直流栅极触发电流：7 mA最大直流栅极触发电压：1.5 V
最大维持电流：5 mAJESD-30 代码：R-PDSO-G4
最大漏电流：0.5 mA元件数量：1
端子数量：4最高工作温度：125 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：1 A断态重复峰值电压：500 V
子类别：TRIACs表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
触发设备类型：4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIACBase Number Matches：1

BT131W-500 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
Triacs  
logic level  
BT131W series  
GENERAL DESCRIPTION  
QUICK REFERENCE DATA  
Glasspassivated,sensitivegatetriacs  
in a plastic envelope suitable for  
surface mounting, intended for use in  
SYMBOL PARAMETER  
MAX. MAX. UNIT  
BT131W-  
Repetitive peak off-state voltages  
RMS on-state current  
Non-repetitive peak on-state current  
500  
500  
1
600  
600  
1
general  
purpose  
and  
bidirectional  
phase control  
VDRM  
IT(RMS)  
ITSM  
V
A
A
switching  
applications. These devices are  
intended to be interfaced directly to  
microcontrollers, logic integrated  
circuits and other low power gate  
trigger circuits.  
10  
10  
PINNING - SOT223  
PIN CONFIGURATION  
SYMBOL  
PIN  
1
DESCRIPTION  
main terminal 1  
4
T2  
T1  
2
main terminal 2  
gate  
3
G
2
3
1
tab main terminal 2  
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
V
-500  
-600  
6001  
VDRM  
Repetitive peak off-state  
voltages  
-
-
5001  
IT(RMS)  
ITSM  
RMS on-state current  
Non-repetitive peak  
on-state current  
full sine wave; Tsp ≤ 108 ˚C  
full sine wave; Tj = 25 ˚C prior to  
surge  
1
A
t = 20 ms  
-
-
-
10  
11  
0.5  
A
A
t = 16.7 ms  
I2t  
dIT/dt  
I2t for fusing  
Repetitive rate of rise of  
on-state current after  
triggering  
t = 10 ms  
A2s  
ITM = 1.5 A; IG = 0.2 A;  
dIG/dt = 0.2 A/µs  
T2+ G+  
-
50  
50  
50  
10  
2
5
5
0.5  
150  
125  
A/µs  
A/µs  
A/µs  
A/µs  
A
T2+ G-  
-
T2- G-  
-
T2- G+  
-
IGM  
Peak gate current  
Peak gate voltage  
Peak gate power  
Average gate power  
Storage temperature  
Operating junction  
temperature  
-
VGM  
PGM  
PG(AV)  
Tstg  
Tj  
-
V
-
-
W
over any 20 ms period  
W
-40  
-
˚C  
˚C  
1 Although not recommended, off-state voltages up to 800V may be applied without damage, but the triac may  
switch to the on-state. The rate of rise of current should not exceed 3 A/µs.  
July 1998  
1
Rev 1.000  
1234567

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