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BT131-800E PDF预览

BT131-800E

更新时间： 2024-11-25 17:02:03
品牌 Logo 应用领域
瑞能 - WEEN /
页数 文件大小 规格书
14页 526K
描述
Planar passivated sensitive gate four quadrant triac in a SOT54 plastic package. This sensitive gate "series E" triac is intended for interfacing with low power drivers including microcontrollers.

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BT131-800E 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.30.00.80风险等级：5.63
其他特性：SENSITIVE GATE配置：SINGLE
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：125 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：1 A
参考标准：IEC-60134断态重复峰值电压：800 V
表面贴装：NO端子面层：TIN
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED触发设备类型：4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC
Base Number Matches：1

BT131-800E 数据手册

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BT131-800E  
4Q Triac  
Rev.02 - 19 October 2021  
Product data sheet  
1. General description  
Planar passivated sensitive gate four quadrant triac in a TO92 plastic package.This sensitive gate  
"series E" triac is intended for interfacing with low power drivers including microcontrollers.  
2. Features and benefits  
•
High blocking voltage capability  
•
•
•
•
•
Sensitive gate in four quadrants  
Planar passivated for voltage ruggedness and reliability  
Triggering in all four quadrants  
Direct interfacing to logic level ICs  
Direct interfacing with low power gate drivers and microcontrollers  
3. Applications  
•
•
•
General purpose low power motor control  
General purpose switching and phase control  
Air conditioner indoor fan control  
4. Quick reference data  
Table 1. Quick reference data  
Symbol Parameter  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Absolute maximum rating  
VDRM  
IT(RMS)  
ITSM  
repetitive peak off-state  
voltage  
-
-
-
-
-
-
800  
1
V
A
A
RMS on-state current  
full sine wave; Tlead ≤ 51.2 °C;  
Fig. 1; Fig. 2; Fig. 3  
non-repetitive peak on- full sine wave; Tj(init) = 25 °C; tp = 20 ms;  
12.5  
state current  
Fig. 4; Fig. 5  
full sine wave; Tj(init) = 25 °C; tp = 16.7 ms  
-
-
-
-
13.7  
125  
A
Tj  
junction temperature  
°C  
Static characteristics  
IGT gate trigger current  
VD = 12 V; IT = 0.1 A; T2+ G+;  
Tj = 25 °C; Fig. 7  
-
-
-
-
-
-
-
-
10  
10  
10  
10  
mA  
mA  
mA  
mA  
VD = 12 V; IT = 0.1 A; T2+ G-;  
Tj = 25 °C; Fig. 7  
VD = 12 V; IT = 0.1 A; T2- G-;  
Tj = 25 °C; Fig. 7  
VD = 12 V; IT = 0.1 A; T2- G+;  
Tj = 25 °C; Fig. 7  
1234567...14

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BT131-800E,412 NXP

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