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BSZ086P03NS3GATMA1 PDF预览

BSZ086P03NS3GATMA1

更新时间： 2024-10-02 19:49:35
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 423K
描述
Power Field-Effect Transistor, 13.5A I(D), 30V, 0.0134ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TSDSON-8

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BSZ086P03NS3GATMA1 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：GREEN, PLASTIC, TSDSON-8
针数：8Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：1.07雪崩能效等级（Eas）：105 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：13.5 A
最大漏源导通电阻：0.0134 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：S-PDSO-N5JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：SQUARE封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：160 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BSZ086P03NS3GATMA1 数据手册

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BSZ086P03NS3 G  
OptiMOSTM P3 Power-Transistor  
Product Summary  
VDS  
-30  
8.6  
-40  
V
Features  
RDS(on),max  
ID  
• single P-Channel in S3O8  
mW  
A
• Qualified according JEDEC1) for target applications  
PG-TSDSON-8  
• 150 °C operating temperature  
• V GS=25 V, specially suited for notebook applications  
• Pb-free; RoHS compliant  
• applications: battery management, load switching  
• Halogen-free according to IEC61249-2-21  
Type  
Package  
Marking  
Lead free  
Yes  
Halogen free  
Packing  
Yes  
BSZ086P03NS3 G  
PG-TSDSON-8  
086P3N  
non-dry  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
T C=25 °C  
T C=70 °C  
-40  
-40  
Continuous drain current  
A
T A=25 °C2)  
-13.5  
-160  
105  
±25  
69  
T C=25 °C3)  
I D,pulse  
E AS  
Pulsed drain current  
I D=-20 A, R GS=25 W  
Avalanche energy, single pulse  
Gate source voltage  
mJ  
V
V GS  
P tot  
T A=25 °C  
Power dissipation  
W
T A=25 °C2)  
2.1  
T j, T stg  
-55 … 150  
1C (1 kV - 2 kV)  
260  
Operating and storage temperature  
ESD class  
°C  
°C  
JESD22-A114 HBM  
Soldering temperature  
55/150/56  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
1) J-STD20 and JESD22  
Rev. 2.03  
page 1  
2013-01-08  
1234567...9

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BSZ086P03NS3GATMA1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BSZ086P03NS3EG INFINEON

完全替代

 OptiMOS P3 Power-Transistor

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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