型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BSZ076N06NS3G | INFINEON |
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OptiMOS3 Power-Transistor | |
BSZ084N08NS5 | INFINEON |
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Infineon’s OptiMOS™ 5 80V industrial power MO | |
BSZ086P03NS3 G | INFINEON |
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英飞凌高度创新型 OptiMOS™ 系列包括 P 通道功率 MOSFET。这些产品始终满足 | |
BSZ086P03NS3E G | INFINEON |
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英飞凌高度创新型 OptiMOS? 系列包括 P 通道功率 MOSFET。这些产品始终满足 | |
BSZ086P03NS3EG | INFINEON |
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OptiMOS P3 Power-Transistor | |
BSZ086P03NS3EGATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 13.5A I(D), 30V, 0.0134ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, | |
BSZ086P03NS3EGXT | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 13.5A I(D), 30V, 0.0134ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, | |
BSZ086P03NS3G | INFINEON |
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OptiMOS P3 Power-Transistor | |
BSZ086P03NS3GATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 13.5A I(D), 30V, 0.0134ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, | |
BSZ088N03LSG | INFINEON |
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OptiMOS™3 Power-MOSFET |