Datasheet > BSZ0589NS

BSZ0589NS

更新时间： 2024-09-30 20:10:55

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		/
页数	文件大小	规格书
10页	1462K
描述
Power Field-Effect Transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BSZ0589NS 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.71
湿度敏感等级：	1	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

BSZ0589NS 数据手册

BSZ0589NS

MOSFET

OptiMOS^TM5ꢀPower-MOSFET,ꢀ30ꢀV

TSDSON-8ꢀFL

(enlarged source interconnection)

Features

•ꢀOptimizedꢀforꢀhighꢀperformanceꢀWirelessꢀcharger

•ꢀVeryꢀlowꢀFOM_QOSSꢀforꢀhighꢀfrequencyꢀSMPS

•ꢀLowꢀFOM_SWꢀforꢀhighꢀfrequencyꢀSMPS

•ꢀExcellentꢀgateꢀchargeꢀxꢀR_DS(on)ꢀproductꢀ(FOM)

•ꢀVeryꢀlowꢀon-resistanceꢀR_DS(on)ꢀ@ꢀV_GS=4.5ꢀV

•ꢀ100%ꢀavalancheꢀtested

•ꢀSuperiorꢀthermalꢀresistance

•ꢀN-channel

•ꢀQualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDEC¹⁾ꢀꢀforꢀtargetꢀapplications

•ꢀPb-freeꢀleadꢀplating;ꢀRoHSꢀcompliant

•ꢀHalogen-freeꢀaccordingꢀtoꢀIEC61249-2-21

S 1

S 2

S 3

G 4

8 D

7 D

Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters

6 D

5 D

Parameter

Value

Unit

V_DS

R_DS(on),max

I_D

4.4

mΩ

Q_OSS

7.2

5.2

Q_G(0V..4.5V)

Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode

Package

PG-TSDSON-8 FL

Marking

RelatedꢀLinks

BSZ0589NS

0589NS

¹⁾J-STD20 and JESD22

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.0,ꢀꢀ2016-07-11

12 3 4 5 6 7...10

中文翻译

下载PDF

与BSZ0589NS相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BSZ0589NSATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 30V, 0.0053ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSZ058N03LSG	INFINEON	获取价格	OptiMOS™3 Power-MOSFET
BSZ058N03LSGATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 30V, 0.0089ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSZ058N03MSG	INFINEON	获取价格	OptiMOS™3 M-Series Power-MOSFET
BSZ060NE2LS	INFINEON	获取价格	n-Channel Power MOSFET
BSZ063N04LS6	INFINEON	获取价格	The OptiMOS™ 6 power MOSFET 40V family is opt
BSZ065N03LS	INFINEON	获取价格	n-Channel Power MOSFET
BSZ065N06LS5	INFINEON	获取价格	英飞凌OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 逻辑电平特别适用于无线充电、适配器和电信应
BSZ067N06LS3 G	INFINEON	获取价格	OptiMOS ™ 60V 是交换模式电源 (SMPS)中的同步整流的理想之选，例如服务器
BSZ067N06LS3G	INFINEON	获取价格	OptiMOS3 Power-Transistor