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BST39

更新时间： 2024-11-05 22:27:55
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1页 16K
描述
NPN SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR

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BST39 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.19外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：0.5 A集电极-发射极最大电压：350 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：40
JESD-30 代码：R-PSSO-F3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：1 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：70 MHz
Base Number Matches：1

BST39 数据手册

  
SOT89 NPN SILICON PLANAR  
HIGH VOLTAGE TRANSISTOR  
BST39  
ISSUE 4 – J UNE 1996  
✪
FEATURES  
*
*
Fast Switching  
High hFE  
C
.
COMPLEMENTARY TYPE – BST16  
PARTMAKING DETAIL – AT1  
E
C
B
SOT89  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
VALUE  
UNIT  
Collector-Base Voltage  
400  
V
V
Collector-Em itter Voltage  
350  
Em itter-Base Voltage  
5
V
Peak Pulse Current  
1
A
Continuous Collector Current  
Power Dissipation at Tam b=25°C  
Operating and Storage Tem perature Range  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
IC  
500  
1
m A  
W
°C  
Ptot  
Tj:Tstg  
-65 to +150  
= 25°C unless otherw ise stated).  
am b  
PARAMETER  
SYMBOL MIN.  
MAX.  
UNIT  
V
CONDITIONS.  
Collector-Base  
Breakdown Voltage  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
400  
IC=10µA  
Collector-Em itter  
Breakdown Voltage  
350  
5
V
V
IC=1m A*  
Em itter-Base  
IE=10µA  
Breakdown Voltage  
Collector Cut-Off Current  
ICBO  
20  
nA  
V
VCB=300V  
Collector-Em itter  
VCE(sat)  
0.5  
IC=50m A, IB=4m A  
Saturation Voltage  
Base-Em itter  
VBE(sat)  
1.3  
V
IC=50m A, IB=4m A  
Saturation Voltage  
Static Forward Current  
Transfer Ratio  
hFE  
40  
70  
IC=20m A, VCE=10V*  
Output Capacitance  
Input Capacitance  
Transition Frequency  
Cobo  
Cibo  
fT  
2
pF  
VCB=10V, f=1MHz  
VEB=10V, f=1MHz  
20  
pF  
MHz  
IC=10m A, VCE=10V,  
f=5MHz  
* Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤ 2%  
For typical characteristics graphs see FMMT458 datasheet.  
3 - 77  
1

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