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BSS98E6296

更新时间： 2024-11-18 19:32:31
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 88K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 50V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92, TO-92, 3 PIN

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BSS98E6296 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-92
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.13
其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：50 V最大漏极电流 (ID)：0.3 A
最大漏源导通电阻：6 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：8 pFJEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

BSS98E6296 数据手册

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BSS 98  
®
SIPMOS Small-Signal Transistor  
• N channel  
• Enhancement mode  
• Logic Level  
• V  
= 0.8...1.6 V  
GS(th)  
Pin 1  
S
Pin 2  
G
Pin 3  
D
Type  
Package  
Marking  
VDS  
50 V  
ID  
RDS(on)  
Ω
BSS 98  
0.3 A  
3.5  
TO-92  
SS98  
Type  
Ordering Code  
Q62702-S053  
Q62702-S517  
Q62702-S635  
Tape and Reel Information  
BSS 98  
BSS 98  
BSS 98  
E6288  
E6296  
E6325  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Values  
Unit  
Drain source voltage  
Drain-gate voltage  
V
50  
V
DS  
V
DGR  
R
= 20 k  
Ω
50  
GS  
±
20  
Gate source voltage  
V
GS  
ESD Sensitivity as per MIL-STD 883  
Continuous drain current  
Class 1  
I
A
D
T = 25 ˚C  
0.3  
A
DC drain current, pulsed  
I
Dpuls  
T = 25 ˚C  
1.2  
A
Power dissipation  
P
W
tot  
T = 25 ˚C  
0.63  
A
Data Sheet  
1
05.99  
1234567

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BSS98E6296 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BSS98 INFINEON

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