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BSS92

更新时间: 2024-11-20 22:39:39
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 63K
描述
P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor

BSS92 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-92
包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.75风险等级:5.09
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:240 V
最大漏极电流 (ID):0.15 A最大漏源导通电阻:20 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-92
JESD-30 代码:O-PBCY-T3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
极性/信道类型:P-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:BOTTOM晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

BSS92 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BSS92  
P-channel enhancement mode  
vertical D-MOS transistor  
1997 Jun 19  
Product specification  
Supersedes data of April 1995  
File under Discrete Semiconductors, SC13b  

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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