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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.29 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 集电极-发射极最大电压： | 40 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 参考标准： | CECC | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 250 MHz | 最大关闭时间（toff）： | 300 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 70 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSS71 | SEME-LAB |
获取价格 |
SILICON PLANAR EPITAXIAL NPN TRANSISTOR |
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| BSS71 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT NPN 200V 0.5A 3-Pin TO-18 |
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| BSS71CSM | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed LCC1 |
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| BSS71DCSM | SEME-LAB |
获取价格 |
Dual Bipolar NPN Devices in a hermetically sealed |
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| BSS71S | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 200V V(BR)CEO | 200A I(C) | TO-18 |
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| BSS72 | SEME-LAB |
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Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO18 Metal Package |
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| BSS72 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT NPN 250V 0.5A 3-Pin TO-18 |
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| BSS72S | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 200V V(BR)CEO | 200A I(C) | TO-18 |
|
| BSS73 | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO18 Metal Package |
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| BSS73CSM | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed LCC1 |
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