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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> BSS67RTA
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BSS67RTA

更新时间： 2024-09-29 13:05:59
品牌 Logo 应用领域
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页数 文件大小 规格书
1页 37K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

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BSS67RTA 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.29
最大集电极电流 (IC)：0.1 A基于收集器的最大容量：4 pF
集电极-发射极最大电压：40 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：30JESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：300 MHz
最大关闭时间（toff）：250 ns最大开启时间（吨）：70 ns
VCEsat-Max：0.3 VBase Number Matches：1

BSS67RTA 数据手册

  
SOT23 NPN SILICON PLANAR MEDIUM  
POWER SWITCHING TRANSISTORS  
BSS66  
BSS67  
ISSUE 2 – SEPTEMBER 1995  
✪
PARTMARKING DETAILS — BSS66 - M6  
BSS67 - M7  
E
C
BSS66R - M8  
BSS67R - M9  
B
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
VALUE  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
60  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
40  
V
6
200  
V
Peak Pulse Current  
mA  
mA  
mA  
mW  
°C  
Continuous Collector Current  
Base Current  
IC  
100  
IB  
50  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
PTOT  
tj:tstg  
330  
-55 to +150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25°C).  
amb  
PARAMETER  
SYMBOL MIN. MAX. UNIT  
CONDITIONS.  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector- Emitter Cut-off Current  
V
V
V
I
40  
60  
6
V
I =1mA  
I =10µA  
I =10µA  
V
V
50  
nA  
V
=30V  
Collector-Emitter  
Saturation Voltage  
V
0.20  
0.30  
V
V
I =10mA, I =1mA  
I =50mA, I =5mA*  
Base-Emitter Saturation Voltage  
V
h
0.65  
0.85  
0.95  
V
V
I =10mA, I =1mA  
C
I =50mA, I =5mA*  
Static Forward Current  
Transfer Ratio  
BSS66  
20  
35  
50  
30  
15  
I =100µA,  
I =1mA,  
150  
300  
I =10mA, V =1V  
I =50mA*,  
I =100mA*,  
Static Forward Current  
Transfer Ratio  
BSS67  
h
40  
70  
100  
60  
30  
I =100µA,  
I =1mA,  
I =10mA, V =1V  
I =50mA*,  
I =100mA*,  
Transition Frequency  
BSS66  
BSS67  
f
250  
300  
MHz  
MHz  
I =10mA, V =20V  
f=100MHz  
Collector-Base Capacitance  
Emitter-Base Capacitance  
Noise Figure  
C
C
N
4
8
pF  
pF  
dB  
V
V
=5V, f=100kHz  
=0.5V, f=100kHz  
Typ. 6  
I =100µA, V =5V  
R =1kΩ, f=10Hz to15.7 kHz  
Switching times: Delay; Rise  
Storage Time  
Fall Time  
t ; t  
35  
ns  
ns  
ns  
V
I
=3V, I =10mA  
= I =1mA  
t
t
200  
50  
* Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤ 2%  
PAGE NUMBER  
1

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
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