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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.65 | 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 55 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.54 A | 最大漏源导通电阻： | 0.825 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 10 pF |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSS670S2LXT | INFINEON |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.54A I(D), 55V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| BSS67-M7 | ZETEX |
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SOT23 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER SWITCHING TRANSISTORS |
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| BSS67R | ETC |
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SOT23 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER SWITCHING TRANSISTORS |
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| BSS67R-M9 | ZETEX |
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SOT23 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER SWITCHING TRANSISTORS |
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| BSS67RTA | ZETEX |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| BSS67RTA | DIODES |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| BSS67RTC | DIODES |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| BSS67RTC | ZETEX |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| BSS67TA | DIODES |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| BSS67TC | DIODES |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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