BSS64LT1D

更新时间： 2024-02-08 17:23:33

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安森美 - ONSEMI		晶体晶体管驱动
页数	文件大小	规格书
3页	105K
描述
Driver Transistor

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BSS64LT1D 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOT-23
包装说明：	HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 318-08, TO-236, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.29
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	20
JEDEC-95代码：	TO-236AB	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	NOT SPECIFIED
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	COMMERCIAL
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	60 MHz
Base Number Matches：	1

BSS64LT1D 数据手册

BSS64LT1G

Driver Transistor

NPN Silicon

Features

• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS

http://onsemi.com

Compliant

COLLECTOR

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Value

Unit

BASE

Collector−Emitter Voltage

CEO

CBO

EBO

Vdc

Collector−Base Voltage

Emitter−Base Voltage

120

5.0

Vdc

EMITTER

Collector Current − Continuous

100

mAdc

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

Unit

Total Device Dissipation FR−5 Board,

(Note 1) T = 25°C

225

1.8

SOT−23 (TO−236)

CASE 318

Derate above 25°C

mW/°C

Thermal Resistance, Junction−to−Ambient

556

°C/W

STYLE 6

Total Device Dissipation

Alumina Substrate, (Note 2)

T = 25°C

300

2.4

mW/°C

MARKING DIAGRAM

Derate above 25°C

Thermal Resistance, Junction−to−Ambient

Junction and Storage Temperature

417

°C/W

°C

AM M G

T , T

−55 to +150

stg

Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum

Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended

Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the

Recommended Operating Conditions may affect device reliability.

1. FR−5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.

AM = Device Code

= Date Code*

= Pb−Free Package

(Note: Microdot may be in either location)

2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.

*Date Code orientation and/or overbar may

vary depending upon manufacturing location.

ORDERING INFORMATION

†

Device

Package

Shipping

BSS64LT1G

SOT−23

3,000 / Tape & Reel

(Pb−Free)

†For information on tape and reel specifications,

including part orientation and tape sizes, please

refer to our Tape and Reel Packaging Specifications

Brochure, BRD8011/D.

Publication Order Number:

August, 2009 − Rev. 5

BSS64LT1/D

12 3

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与BSS64LT1D相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BSS64LT1G	ONSEMI	获取价格	Driver Transistor
BSS64LT3	MOTOROLA	获取价格	100mA, 80V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, CASE 318-08, 3 PIN
BSS64R	NXP	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa
BSS64RTA	ZETEX	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
BSS64R-TAPE-13	NXP	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa
BSS64R-TAPE-7	NXP	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa
BSS64RTC	ZETEX	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
BSS64R-U6	ZETEX	获取价格	SOT23 NPN SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
BSS64S62Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
BSS64S62Z	TI	获取价格	200mA, 80V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB

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