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BSS138K

更新时间: 2024-09-25 12:23:35
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飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 294K
描述
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

BSS138K 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred零件包装代码:SOT-23
包装说明:GREEN, ULTRA SMALL PACKAGE-3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.32
其他特性:LOW THRESHOLD配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:50 V最大漏极电流 (Abs) (ID):0.22 A
最大漏极电流 (ID):0.22 A最大漏源导通电阻:2.5 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-236AB
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):0.35 W认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

BSS138K 数据手册

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May 2010  
BSS138K  
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  
Features  
• Low On-Resistance  
• Low Gate Threshold Voltage  
• Low Input Capacitance  
• Fast Switching Speed  
• Low Input/Output Leakage  
• Ultra-Small Surface Mount Package  
• Pb Free/RoHS Compliant  
• Green Compound  
• ESD HBM=2000V as per JEDEC A114A ; ESD CDM = 2000V as per JEDEC C101C  
D
S
G
SOT - 23  
Marking : SK  
Absolute Maximum Ratings * TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
ID  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Drain Current  
Value  
50  
±12  
0.22  
0.88  
Units  
V
V
Continuous  
Pulsed  
A
TJ  
TSTG  
Operating Junction Temperature Range  
Storage Temperature Range  
-55 to +150  
-55 to +150  
°C  
°C  
* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device maybe impaired.  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
PD  
Total Device Dissipation  
Derating above TA = 25°C  
350  
2.8  
mW  
mW/°C  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction to Ambient *  
350  
°C/W  
* Device mounted on FR-4 PCB, 1 inch x 0.85 inch x 0.062 inch. Minimum land pad size  
© 2010 Fairchild Semiconductor Corporation  
www.fairchildsemi.com  
BSS138K Rev. A2  
1

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Tape: 3K/Reel, 120K/Ctn.;
BSS138KWJ YANGJIE

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BSS138-L99Z TI

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220mA, 50V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB
BSS138L-AE2-R UTC

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N-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHANCEMENT MODE
BSS138L-AL3-R UTC

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N-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHANCEMENT MODE