Datasheet > BSS138E6327

BSS138E6327

更新时间： 2024-02-18 17:12:44

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		/
页数	文件大小	规格书
7页	91K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.22A I(D), 50V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-23, 3 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BSS138E6327 数据手册

BSS 138

SIPMOS Small-Signal Transistor

• N channel

• Enhancement mode

• Logic Level

• V

= 0.8...2.0V

GS(th)

Pin 1

Pin 2

Pin 3

Type

Package

Marking

V_DS

50 V

I_D

R_DS(on)

Ω

BSS 138

0.22 A

3.5

SOT-23

SSs

Type

Ordering Code

Q67000-S566

Q67000-S216

Tape and Reel Information

BSS 138

E6327

E6433

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Values

Unit

Drain source voltage

Drain-gate voltage

DGR

Ω

= 20 k

Gate source voltage

± 20

ESD Sensitivity (HBM) as per MIL-STD 883

Continuous drain current

Class 1

T = 31 ˚C

0.22

DC drain current, pulsed

Dpuls

T = 25 ˚C

0.88

Power dissipation

tot

T = 25 ˚C

0.36

Data Sheet

05.99

12 3 4 5 6 7

中文翻译

下载PDF

BSS138E6327 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BSS138	ONSEMI	功能相似	N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管，50V，220mA
BSS138LT3G	ONSEMI	功能相似	Power MOSFET 200 mA, 50 V
BSS138LT1G	ONSEMI	功能相似	Power MOSFET 200 mA, 50 V

与BSS138E6327相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BSS138E-6327	INFINEON	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.22A I(D), 50V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
BSS138E6433	INFINEON	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.22A I(D), 50V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
BSS138EDW	BL Galaxy Electrical	获取价格	0.36A, 50V, 0.31W, N Channel, Dual MOSFETs
BSS138ES	BL Galaxy Electrical	获取价格	0.36A, 50V, 0.35W, N Channel, Small Signal MOSFETs
BSS138ESL	BL Galaxy Electrical	获取价格	0.36A, 50V, 0.15W, N Channel, Small Signal MOSFETs
BSS138EST	BL Galaxy Electrical	获取价格	0.36A, 50V, 0.15W, N Channel, Small Signal MOSFETs
BSS138ESV	BL Galaxy Electrical	获取价格	0.36A, 50V, 0.25W, N Channel, Small Signal MOSFETs
BSS138ESW	BL Galaxy Electrical	获取价格	0.36A, 50V, 0.26W, N Channel, Small Signal MOSFETs
BSS138-F085	ONSEMI	获取价格	N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管
BSS138-G	COMCHIP	获取价格	MOSFET