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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSS138E6327 | INFINEON |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.22A I(D), 50V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| BSS138E-6327 | INFINEON |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.22A I(D), 50V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| BSS138E6433 | INFINEON |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.22A I(D), 50V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| BSS138EDW | BL Galaxy Electrical |
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0.36A, 50V, 0.31W, N Channel, Dual MOSFETs |
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| BSS138ES | BL Galaxy Electrical |
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0.36A, 50V, 0.35W, N Channel, Small Signal MOSFETs |
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| BSS138ESL | BL Galaxy Electrical |
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0.36A, 50V, 0.15W, N Channel, Small Signal MOSFETs |
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| BSS138EST | BL Galaxy Electrical |
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0.36A, 50V, 0.15W, N Channel, Small Signal MOSFETs |
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| BSS138ESV | BL Galaxy Electrical |
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0.36A, 50V, 0.25W, N Channel, Small Signal MOSFETs |
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| BSS138ESW | BL Galaxy Electrical |
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0.36A, 50V, 0.26W, N Channel, Small Signal MOSFETs |
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| BSS138-F085 | ONSEMI |
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N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 |
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