BSS138BK

更新时间： 2024-11-25 12:28:47

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		/
页数	文件大小	规格书
16页	865K
描述
60 V, 360 mA N-channel Trench MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BSS138BK 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	SOT-23	包装说明：	PLASTIC PACKAGE-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.8
Samacsys Description：	360 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB	其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	0.36 A	最大漏源导通电阻：	1.6 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-236AB
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

BSS138BK 数据手册

BSS138BK

T23

60 V, 360 mA N-channel Trench MOSFET

Rev. 1 — 4 August 2011

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23

(TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET

technology.

1.2 Features and benefits

 Logic-level compatible

 Very fast switching

 ESD protection up to 1.5 kV

 AEC-Q101 qualified

 Trench MOSFET technology

1.3 Applications

 Relay driver

 Low-side loadswitch

 Switching circuits

 High-speed line driver

1.4 Quick reference data

Table 1.

Symbol

V_DS

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min Typ Max Unit

drain-source voltage

gate-source voltage

drain current

T_j= 25 °C

V_GS

-20

[1]

I_D

V_GS= 10 V; T_amb= 25 °C

360 mA

Static characteristics

R_DSondrain-source on-state

resistance

V_GS= 10 V; I_D= 350 mA;

T_j= 25 °C

1.6

Ω

[1] Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated, mounting pad for drain 1 cm².

12 3 4 5 6 7...16

中文翻译

下载PDF

BSS138BK 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
2N7002K-T1-GE3	VISHAY	功能相似	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
2N7002K-T1-E3	VISHAY	功能相似	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
2N7002KT1G	ONSEMI	功能相似	Small Signal MOSFET 60 V, 380 mA, Single, N−Channel, SOT−23

与BSS138BK相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BSS138BK215	NXP	获取价格	60 V, 360 mA N-channel Trench MOSFET
BSS138BKAHZG	ROHM	获取价格	BSS138BKAHZG采用SST3封装，内置有单极Nch 60V 400mA MOSFE
BSS138BKDW	MCC	获取价格	Tape: 3K/Reel, 120K/Ctn.;
BSS138BKDW-TPQ2	MCC	获取价格	Tape: 3K/Reel, 120K/Ctn.;
BSS138BKHZGT116	ROHM	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.4A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
BSS138BKS	NEXPERIA	获取价格	60 V, 320 mA dual N-channel Trench MOSFETProduction
BSS138BKS,115	ETC	获取价格	MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
BSS138BKSH	ETC	获取价格	BSS138BKS/SOT363/SC-88
BSS138BKT	MCC	获取价格	Tape: 3K/Reel, 120K/Ctn.;
BSS138BKW	NXP	获取价格	60 V, 320 mA N-channel Trench MOSFET

与BSS138BK相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

41
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

33
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

61
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

57

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BSS138BK

BSS138BK 技术参数

BSS138BK 数据手册

BSS138BK 替代型号

与BSS138BK相关器件

与BSS138BK相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BSS138BK

BSS138BK 技术参数

BSS138BK 数据手册

BSS138BK 替代型号

与BSS138BK相关器件

与BSS138BK相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？