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BSS123I

更新时间： 2023-12-06 20:11:59

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英飞凌 - INFINEON		/
页数	文件大小	规格书
10页	1018K
描述
OptiMOS? N-沟道增强模式 100 V MOSFET BSS123I 采用 SOT-23-3 封装，具有 6 Ohm 的低 RDS(on) （此时的 VGS 为 10V）特性。

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BSS123I 数据手册

BSS123I

MOSFET

OptiMOS^TMꢀSmall-Signal-Transistor,ꢀ100ꢀV

PG-SOT23-3

Features

•ꢀN-channel

•ꢀEnhancementꢀmode

•ꢀLogicꢀlevelꢀ(4.5Vꢀrated)

•ꢀPb-freeꢀleadꢀplating;ꢀRoHSꢀcompliant

•ꢀHalogen-freeꢀaccordingꢀtoꢀIEC61249-2-21

Productꢀvalidation

FullyꢀqualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDECꢀforꢀIndustrialꢀApplications

Drain

Pin 3

Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters

Parameter

Value

100

Unit

Gate

Pin 1

V_DS

R_DS(on),max,ꢀV_GS=10ꢀV

Ω

Source

Pin 2

R_DS(on),max,ꢀV_GS=4.5ꢀV 10

Ω

I_D

0.19

ESD Sensitivity,

JESD22-A114 (HBM)

class 0 (<250V)

Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode

Package

Marking

RelatedꢀLinks

BSS123I

PG-SOT23

AIs

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.1,ꢀꢀ2021-02-01

12 3 4 5 6 7...10

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