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BSS123ES-3L

更新时间： 2024-04-09 18:58:28

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银河微电 - BL Galaxy Electrical		/
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5页	537K
描述
0.17A, 100V, 0.35W, N Channel, Small Signal MOSFETs

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BSS123ES-3L 数据手册

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

BSS123ES

Features



Low on-resistance

High-speed switching

Drive circuits can be simple

Parallel use is easy

BSS123ES

SOT-23

BSS123ESW

SOT-323

Typical Applications



Switching application

Mechanical Data



Case: SOT-23, SOT-323, SOT-23-3L

BSS123ES-3L

SOT-23-3L

Molding Compound: UL Flammability Classification Rating 94V-0

Terminals: Matte Tin-Plated Leads, Solderability-per MIL-STD-202,

Method 208

Ordering Information

Part Number

Package

Shipping Quantity

Marking Code

BSS123ES

BSS123ESW

BSS123ES-3L

SOT-23

SOT-323

SOT-23-3L

3000pcs / Tape & Reel

123E

Maximum Ratings (@ T_A= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Drain-to-Source Voltage

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D

Value

Unit

100

±20

170

680

Gate-to-Source Voltage

Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current ^*4

I_DM

MTM0367A: September 2020

www.gmesemi.com

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与BSS123ES-3L相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BSS123ESW	BL Galaxy Electrical	获取价格	0.17A, 100V, 0.2W, N Channel, Small Signal MOSFETs
BSS123-F169	ONSEMI	获取价格	N沟道逻辑电平增强型场效应晶体管100V，170mA，6Ω
BSS123I	INFINEON	获取价格	OptiMOS? N-沟道增强模式 100 V MOSFET BSS123I 采用 SOT
BSS123K	MCC	获取价格	Tape: 3K/Reel, 120K/Ctn.;
BSS123K	DIODES	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
BSS123K*	NCEPOWER	获取价格	新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型（Trench）功率MOSFE
BSS123K2	FOSHAN	获取价格	SOT-23
BSS123KHE3	MCC	获取价格	Tape: 3K/Reel, 120K/Ctn.;
BSS123L	ONSEMI	获取价格	功率 MOSFET 170 mA，100 V，N 沟道 SOT-23
BSS123L6327HTSA1	INFINEON	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.17A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met