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BSS123E

更新时间: 2024-03-03 10:09:23
品牌 Logo 应用领域
扬杰 - YANGJIE /
页数 文件大小 规格书
8页 705K
描述
SOT-523

BSS123E 数据手册

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RoHS  
COMPLIANT  
BSS123E  
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor  
Product Summary  
VDS  
100V  
200mA  
3.4Ω  
3.6Ω  
ID  
RDS(ON)( at VGS=10V)  
RDS(ON)( at VGS=4.5V)  
General Description  
Trench Power MV MOSFET technology  
Voltage controlled small signal switch  
Low input Capacitance  
Fast Switching Speed  
Low Input / Output Leakage  
● Moisture Sensitivity Level 1  
Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating  
Halogen Free  
Applications  
Battery operated systems  
Solid-state relays  
Direct logic-level interfaceTTL/CMOS  
Absolute Maximum Ratings (T =25unless otherwise noted)  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
Unit  
Drain-source Voltage  
Gate-source Voltage  
VDS  
VGS  
100  
±20  
V
V
200  
TA=25  
Drain Current  
ID  
mA  
mA  
mW  
125  
TA=100℃  
Pulsed Drain Current A  
Total Power Dissipation B  
IDM  
700  
350  
TA=25℃  
PD  
140  
TA=100℃  
Junction and Storage Temperature Range  
TJ ,TSTG  
-55+150  
Thermal resistance  
Parameter  
Symbol  
Typ  
Max  
Units  
Thermal Resistance Junction-to-Ambient C  
Steady-State  
RθJA  
280  
350  
/W  
Ordering Information (Example)  
PACKING  
MINIMUM  
PACKAGE(pcs)  
INNER BOX  
QUANTITY(pcs)  
OUTER CARTON  
QUANTITY(pcs)  
DELIVERY  
MODE  
PREFERED P/N  
Marking  
CODE  
BSS123E  
F2  
123  
3000  
30000  
120000  
7“ reel  
1 / 8  
S-E257  
Rev.1.0,27-Sep-22  
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.  
www.21yangjie.com  

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