型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BSS123ES-3L | BL Galaxy Electrical |
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0.17A, 100V, 0.35W, N Channel, Small Signal MOSFETs |
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BSS123ESW | BL Galaxy Electrical |
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0.17A, 100V, 0.2W, N Channel, Small Signal MOSFETs |
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BSS123-F169 | ONSEMI |
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N沟道逻辑电平增强型场效应晶体管100V,170mA,6Ω |
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BSS123I | INFINEON |
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OptiMOS? N-沟道增强模式 100 V MOSFET BSS123I 采用 SOT |
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BSS123K | MCC |
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Tape: 3K/Reel, 120K/Ctn.; |
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BSS123K | DIODES |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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BSS123K* | NCEPOWER |
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新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFE |
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BSS123K2 | FOSHAN |
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SOT-23 |
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BSS123KHE3 | MCC |
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Tape: 3K/Reel, 120K/Ctn.; |
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BSS123L | ONSEMI |
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功率 MOSFET 170 mA,100 V,N 沟道 SOT-23 |
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