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BSS123D87Z

更新时间： 2024-02-11 13:18:22
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
13页 522K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.17A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-23, 3 PIN

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BSS123D87Z 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5
其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (ID)：0.17 A
最大漏源导通电阻：10 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：6 pFJEDEC-95代码：TO-236AB
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

BSS123D87Z 数据手册

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September 1996  
BSS100 / BSS123  
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  
General Description  
Features  
BSS100: 0.22A, 100V. RDS(ON) = 6W @ VGS = 10V.  
These N-Channel logic level enhancement mode power  
field effect transistors are produced using Fairchild's  
proprietary, high cell density, DMOS technology. This  
very high density process has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance. This product is particularly suited to low  
voltage, low current applications, such as small servo  
motor controls, power MOSFET gate drivers, and other  
switching applications.  
BSS123: 0.17A, 100V. RDS(ON) = 6W @ VGS = 10V  
High density cell design for extremely low RDS(ON)  
Voltage controlled small signal switch.  
Rugged and reliable.  
.
_______________________________________________________________________________  
D
G
BSS100  
BSS123  
S
Absolute Maximum Ratings  
TA = 25°C unless otherwise noted  
BSS100  
Symbol  
Parameter  
BSS123  
Units  
V
VDSS  
Drain-Source Voltage  
100  
100  
VDGR  
V
Drain-Gate Voltage (RGS < 20KW)  
VGSS  
Gate-Source Voltage - Continuous  
± 14  
± 20  
V
- Non Repetitive (TP < 50 mS)  
Drain Current - Continuous  
- Pulsed  
ID  
0.22  
0.9  
0.17  
0.68  
0.36  
A
PD  
Total Power Dissipation @ TA = 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
0.63  
W
°C  
°C  
TJ,TSTG  
TL  
-55 to 150  
300  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
Purposes, 1/16" from Case for 10 Seconds  
THERMAL CHARACTERISTICS  
RqJA  
Thermal Resistacne, Junction-to-Ambient  
200  
350  
°C/W  
© 1997 Fairchild Semiconductor Corporation  
BSS100 Rev. F1 / BSS123 Rev. F1  
1234567...13

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与BSS123D87Z相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BSS123-D87Z TI

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 		170mA, 100V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB
BSS123DW YANGJIE

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 		SOT-363
BSS123E YANGJIE

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 		SOT-523
BSS123ES-3L BL Galaxy Electrical

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 		0.17A, 100V, 0.35W, N Channel, Small Signal MOSFETs
BSS123ESW BL Galaxy Electrical

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 		0.17A, 100V, 0.2W, N Channel, Small Signal MOSFETs
BSS123-F169 ONSEMI

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 		OptiMOS? N-沟道增强模式 100 V MOSFET BSS123I 采用 SOT
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 		Tape: 3K/Reel, 120K/Ctn.;
BSS123K DIODES

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 		N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
BSS123K* NCEPOWER

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 		新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型（Trench）功率MOSFE

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