生命周期: | Transferred | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.21.00.95 | 风险等级: | 5 |
其他特性: | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 100 V | 最大漏极电流 (ID): | 0.17 A |
最大漏源导通电阻: | 10 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最大反馈电容 (Crss): | 6 pF | JEDEC-95代码: | TO-236AB |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | YES |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
BSS123-D87Z | TI | 170mA, 100V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB |
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BSS123DW | YANGJIE | SOT-363 |
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BSS123E | YANGJIE | SOT-523 |
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BSS123ES-3L | BL Galaxy Electrical | 0.17A, 100V, 0.35W, N Channel, Small Signal MOSFETs |
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BSS123ESW | BL Galaxy Electrical | 0.17A, 100V, 0.2W, N Channel, Small Signal MOSFETs |
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BSS123-F169 | ONSEMI | N沟道逻辑电平增强型场效应晶体管100V,170mA,6Ω |
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