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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> BSS123ATA
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BSS123ATA

更新时间： 2024-01-13 06:41:21
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捷特科 - ZETEX /
页数 文件大小 规格书
1页 48K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.17A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

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BSS123ATA 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：18 weeks 3 days风险等级：1.53
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (ID)：0.17 A最大漏源导通电阻：10 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BSS123ATA 数据手册

  
SOT23 N-CHANNEL ENHANCEMENT  
MODE VERTICAL DMOS FET  
BSS123  
ISSUE 3 – JANUARY 1996  
✪
PARTMARKING DETAIL  
– SA  
S
D
G
SOT23  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VDS  
VALUE  
100  
UNIT  
V
Drain-Source Voltage  
Drain-Gate Voltage  
VDGR  
ID  
100  
V
Continuous Drain Current at Tamb=25°C  
Pulsed Drain Current  
170  
mA  
mA  
V
IDM  
680  
Gate-Source Voltage  
VGS  
± 20  
Peak Gate-Source Voltage  
VGSM  
Ptot  
V
± 20  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
360  
mW  
°C  
Tj:Tstg  
-55 to +150  
= 25°C unless otherwise stated).  
amb  
PARAMETER  
SYMBOL MIN. MIN. MAX. UNIT CONDITIONS.  
Drain-Source  
BVDSS  
100  
V
ID=0.25mA, VGS=0V  
ID=1mA, VDS= VGS  
Breakdown Voltage  
Gate-Source Threshold  
Voltage  
Gate-Body Leakage  
VGS(th)  
0.8  
2.2  
10  
2.8  
50  
V
IGSS  
IDSS  
nA  
V
GS=± 20V, VDS=0V  
Zero Gate Voltage  
Drain Current  
1
2
15  
60  
10  
V
V
DS=100V, VGS=0V  
µA  
µA  
nA  
DS=100V, VGS=0V, T=125°C(2)  
VDS=20V, VGS=0V  
Static Drain-Source  
RDS(on)  
gfs  
5
6
VGS=10V, ID=100mA  
Ω
On-State Resistance (1)  
Forward  
Transconductance(1)(2)  
80  
120  
mS  
VDS=25V, ID=100mA  
Input Capacitance (2)  
Common Source  
Output Capacitance (2)  
Ciss  
Coss  
20  
9
pF  
pF  
V
V
DS=25V, VGS=0V, f=1MHz  
Reverse Transfer  
Capacitance (2)  
Turn-On Delay Time (2)(3) td(on)  
Rise Time (2)(3) tr  
Turn-Off Delay Time (2)(3) td(off)  
Fall Time (2)(3) tf  
Crss  
4
pF  
10  
10  
15  
25  
ns  
ns  
ns  
ns  
DD ≈30V, ID=280mA  
(1) Measured under pulsed conditions. Width=300µs. Duty cycle ≤2% (2) Sample test.  
(3) Switching times measured with 50Ω source impedance and <5ns rise time on a pulse generator  
For typical characteristics graphs see ZVN3310F datasheet.  
3 - 70  
1

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BSS123ATC DIODES

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.17A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
BSS123BKN3 CYSTEKEC

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 		N-Channel Enhancement Mode MOSFET
BSS123BKN3-0-T1-G CYSTEKEC

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 		N-Channel Enhancement Mode MOSFET
BSS123D87Z TI

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 		TRANSISTOR 170 mA, 100 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB, FET General Purpo
BSS123D87Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.17A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
BSS123-D87Z TI

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 		0.17A, 100V, 0.35W, N Channel, Small Signal MOSFETs
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