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BSR56,215

更新时间： 2024-11-13 14:41:11

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恩智浦 - NXP		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	441K
描述
BSR56; BSR57; BSR58 - N-channel FETs TO-236 3-Pin

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BSR56,215 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-236	包装说明：	PLASTIC, SMD, SST3, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	7.32	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	40 V	最大漏极电流 (ID)：	0.02 A
最大漏源导通电阻：	25 Ω	FET 技术：	JUNCTION
最大反馈电容 (Crss)：	5 pF	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	DEPLETION MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BSR56,215 数据手册

BSR56; BSR57; BSR58

N-channel FETs

Rev. 3 — 25 June 2014

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Symmetrical silicon N-channel depletion type junction field-effect transistors (FETs) in a

plastic microminiature envelope designed for application in thick and thin-film circuits. The

transistors are intended for low-power, chopper or switching applications in industrial

service.

1.2 Features and benefits

 Interchangeable drain and source connections

 Small package

1.3 Applications

 Low-power, chopper or switching applications

 Thick and thin-film circuits

1.4 Quick reference data

Table 1.

Quick reference data

Symbol Parameter

Conditions

BSR56

BSR57

BSR58

Unit

Min

Max

40

>50

Min

Max

40

Min

Max

40

V_DS

I_DSS

drain-source voltage

drain leakage current

V_DS= 15 V; V_GS= 0 V;

>20

T_mb= 40 C

<100

<80 mA

V_GSoff

gate-source cut-off

voltage

V_DS= 15 V;

I_D= 0.5 nA

<10

>0.8

C_rs

feedback capacitance

V_DS= 0 V; V_GS= 10 V;

f = 1 MHz

Switching time (V_DD= 10 V; V_GS= 0 V)

t_off

turn-off time

I_D= 20 mA; V_GSM= 10 V

I_D= 10 mA; V_GSM= 6 V

I_D= 5 mA; V_GSM= 4 V

<25

<50

<100 ns

P_tot

total power dissipation T_mb= 40 °C

250

250 mW

Static characteristics

R_DSondrain-source on-state

resistance

V_GS= 0 V; I_D= 0 A; f = 1 kHz

<25

<40

<60



12 3 4 5 6 7...10

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BSR56,215 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
MMBFJ203	FAIRCHILD	功能相似	N-Channel General Purpose Amplifier
BSR57	FAIRCHILD	功能相似	N-Channel Low-Frequency Low-Noise Amplifier
BSR56	FAIRCHILD	功能相似	N-Channel Low-Frequency Low-Noise Amplifier

与BSR56,215相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BSR56D87Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET
BSR56D87Z	TI	获取价格	N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB
BSR56L	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| JFET \| N-CHANNEL \| 40V V(BR)DSS \| 50MA I(DSS) \| SOT-23
BSR56L99Z	TI	获取价格	N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB
BSR56LT1	MOTOROLA	获取价格	Transistor
BSR56S62Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET
BSR56S62Z	TI	获取价格	N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB
BSR56T/R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| JFET \| N-CHANNEL \| 40V V(BR)DSS \| 50MA I(DSS) \| TO-236
BSR56-TAPE-13	NXP	获取价格	TRANSISTOR 40 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, FET General Purpose Small Signal
BSR56-TAPE-7	NXP	获取价格	TRANSISTOR 40 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, FET General Purpose Small Signal

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