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BSR51-T/R

更新时间: 2024-09-26 03:46:43
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 62K
描述
TRANSISTOR 1000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, BIP General Purpose Small Signal

BSR51-T/R 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75风险等级:5.83
其他特性:BUILT-IN BIAS RESISTOR最大集电极电流 (IC):1 A
集电极-发射极最大电压:60 V配置:DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE):2000JEDEC-95代码:TO-92
JESD-30 代码:O-PBCY-T3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:BOTTOM
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):200 MHz最大关闭时间(toff):1300 ns
最大开启时间(吨):500 nsVCEsat-Max:1.6 V

BSR51-T/R 数据手册

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