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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.53 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1 A | 集电极-发射极最大电压： | 45 V |
| 配置： | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 2000 |
| JEDEC-95代码： | TO-92 | JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 1500 ns |
| VCEsat-Max： | 1.6 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSR50-T/R | NXP |
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TRANSISTOR 1000 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, BIP General Purpose Sma |
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| BSR51 | ETC |
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NPN Darlington Transistors |
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| BSR51-AMMO | NXP |
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TRANSISTOR 1000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, BIP General Purpose Sma |
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| BSR51-T/R | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 1000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, BIP General Purpose Sma |
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| BSR52 | NXP |
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NPN Darlington transistor |
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| BSR52-AMMO | NXP |
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TRANSISTOR 1000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, BIP General Purpose Sma |
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| BSR52T/R | NXP |
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TRANSISTOR 1000 mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC, SC-43A, 3 PIN, BIP G |
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| BSR52-T/R | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 1000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC, SC-43A, 3 PIN, |
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| BSR56 | YAGEO |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 40V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET |
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| BSR56 | ONSEMI |
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N沟道低频低噪声放大器 |
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