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BSR20ATRL

更新时间: 2024-11-17 13:05:59
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管高压
页数 文件大小 规格书
8页 71K
描述
TRANSISTOR 600 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal

BSR20ATRL 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.52最大集电极电流 (IC):0.6 A
集电极-发射极最大电压:150 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):60JESD-30 代码:R-PDSO-G3
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:PNP
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):100 MHz
VCEsat-Max:0.5 VBase Number Matches:1

BSR20ATRL 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
ok, halfpage  
BSR20; BSR20A  
PNP high-voltage transistors  
1997 Apr 21  
Product specification  
Supersedes data of September 1994  
File under Discrete Semiconductors, SC04  

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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