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BSR17A-MR

更新时间： 2024-01-23 03:08:53
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 晶体晶体管过程控制系统PCS
页数 文件大小 规格书
6页 85K
描述
TRANSISTOR BSR17A MINIREEL 500PCS

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BSR17A-MR 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.25Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.2 A集电极-发射极最大电压：40 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：50
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON最大关闭时间（toff）：225 ns
最大开启时间（吨）：70 nsVCEsat-Max：0.3 V
Base Number Matches：1

BSR17A-MR 数据手册

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BSR17A  
C
E
SOT-23  
Mark: U92  
B
NPN General Purpose Amplifier  
This device is designed as a general purpose amplifier and switch.  
The useful dynamic range extends to 100 mA as a switch and to  
100 MHz as an amplifier. Sourced from Process 23.  
Absolute Maximum Ratings*  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Collector-Emitter Voltage  
40  
60  
V
V
3
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
6.0  
V
Collector Current - Continuous  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
200  
mA  
-55 to +150  
C
°
TJ, Tstg  
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
NOTES:  
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.  
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.  
Thermal Characteristics  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Characteristic  
Max  
Units  
*BSR17A  
PD  
Total Device Dissipation  
Derate above 25 C  
350  
2.8  
mW  
mW/ C  
°
°
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
357  
Rθ  
C/W  
°
JA  
*Device mounted on FR-4 PCB 40 mm X 40 mm X 1.5 mm.  
1997 Fairchild Semiconductor Corporation  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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