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BSR15TR13

更新时间: 2024-11-29 19:25:59
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页数 文件大小 规格书
1页 93K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,

BSR15TR13 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:ActiveReach Compliance Code:not_compliant
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.27
基于收集器的最大容量:8 pF集电极-发射极最大电压:40 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):100
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:PNP认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子面层:TIN LEAD
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):200 MHz
最大关闭时间(toff):100 nsVCEsat-Max:1.6 V
Base Number Matches:1

BSR15TR13 数据手册

  

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