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BSP62TRL

更新时间: 2024-11-30 15:28:47
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恩智浦 - NXP 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 118K
描述
TRANSISTOR 0.5 A, 90 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power

BSP62TRL 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.66最大集电极电流 (IC):0.5 A
集电极-发射极最大电压:90 V配置:DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE):2000JESD-30 代码:R-PDSO-G4
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:4封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:PNP
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子面层:TIN端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管元件材料:SILICONVCEsat-Max:1.3 V
Base Number Matches:1

BSP62TRL 数据手册

  

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