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BSP62T/R

更新时间： 2024-11-30 20:33:39

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	64K
描述
TRANSISTOR 1000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SMD, SC-73, 4 PIN, BIP General Purpose Small Signal

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BSP62T/R 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	SC-73	包装说明：	PLASTIC, SMD, SC-73, 4 PIN
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.22
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	1 A
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	2000	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	功耗环境最大值：	1.5 W
最大功率耗散 (Abs)：	1.5 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	200 MHz	VCEsat-Max：	1.3 V
Base Number Matches：	1

DISCRETE SEMICONDUCTORS

DATA SHEET

handbook, halfpage

M3D087

BSP60; BSP61; BSP62

PNP Darlington transistors

Product data sheet

2001 May 31

Supersedes data of 1999 Apr 29

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BSP62T1	MOTOROLA	获取价格	MEDIUM POWER PNP SILICON DARLINGTON TRANSISTOR SURFACE MOUNT
BSP62T3	MOTOROLA	获取价格	500mA, 80V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-261AA
BSP62T3	ONSEMI	获取价格	500mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-261AA, CASE 318E-04, 4 PIN
BSP62-TAPE-13	NXP	获取价格	TRANSISTOR 0.5 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power
BSP62-TAPE-7	NXP	获取价格	TRANSISTOR 0.5 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power
BSP62TRL	NXP	获取价格	TRANSISTOR 0.5 A, 90 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power
BSP62TRL	YAGEO	获取价格	Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 90V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy,
BSP62TRL13	NXP	获取价格	TRANSISTOR 0.5 A, 90 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power
BSP62TRL13	YAGEO	获取价格	Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 90V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy,
BSP742R	INFINEON	获取价格	Smart Power High-Side-Switch