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BSP62E6327

更新时间： 2024-11-30 21:18:47

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英飞凌 - INFINEON		光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	76K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

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BSP62E6327 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.45	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	1 A	集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	DARLINGTON	最小直流电流增益 (hFE)：	2000
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	1.5 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	200 MHz	最大关闭时间（toff）：	1500 ns
最大开启时间（吨）：	400 ns	Base Number Matches：	1

BSP62E6327 数据手册

BSP60 ... BSP62

PNP Silicon Darlington Transistors

High collector current

Low collector-emitter saturation voltage

Complementary types: BSP50 ... BSP52 (NPN)

VPS05163

Type

Marking

BSP 60

BSP 61

BSP 62

Pin Configuration

Package

SOT223

1 = B

2 = C

3 = E

4 = C

BSP60

BSP61

BSP62

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Unit

BSP60

BSP61

BSP62

Collector-emitter voltage

Collector-base voltage

Emitter-base voltage

DC collector current

Peak collector current

Base current

CEO

CBO

EBO

100

Total power dissipation, T = 124 °C

1.5

tot

Junction temperature

Storage temperature

150

°C

-65 ... 150

stg

Thermal Resistance

Junction - soldering point

K/W

thJS

For calculation of R

thJA

please refer to Application Note Thermal Resistance

Nov-30-2001

12 3 4 5

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